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J-GLOBAL ID:202202273363878878   整理番号:22A0753153

量子Hall領域でプローブした多層グラフェンにおける磁壁の歪同調【JST・京大機械翻訳】

Strain-tuning of domain walls in multilayer graphene probed in the quantum Hall regime
著者 (7件):
資料名:
巻: 105  号:ページ: L081408  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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多層グラフェンにおける異なる積層秩序領域間のフロンティアを定義するトポロジー欠陥,ドメイン壁は,ホスト励起物理をホストすることを証明した。電子輸送実験でその場でこれらのトポロジー欠陥を調整する能力は,電子応用と同様にドメイン壁の基本的な理解に関して,豊富な可能性をもたらす。ここでは,MEMS(微小電気機械システム)アクチュエータと磁気抵抗測定を通して,多層グラフェン量子Hall効果における分域壁の影響を実証した。可逆的で制御された単軸歪はトポロジー欠陥をトリガーし,付加的量子Hall効果プラトーとして,またデバイスを横切る電流の離散的で可逆的な変調を示した。著者らの知見は理論計算によって支持され,電子輸送を通してプローブされた多層グラフェンにおけるトポロジー欠陥のin situ調整の表示を構成し,電子応用における可逆的トポロジー欠陥の使用の道を開く。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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半導体結晶の電子構造  ,  その他の無機化合物の電気伝導 

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