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J-GLOBAL ID：202202273466375145   整理番号：22A0836597

シリコンヘテロ接合太陽電池の性能に及ぼすセルエッジの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of cell edges on the performance of silicon heterojunction solar cells

著者 (5件)： Giglia V. (Univ Grenoble Alpes, CEA, LITEN, DTS, INES, F-38000, Grenoble, France) ,  Giglia V. (Univ. Lyon, INSA-Lyon, INL UMR5270, F-69621, Villeurbanne, France) ,  Varache R. (Univ Grenoble Alpes, CEA, LITEN, DTS, INES, F-38000, Grenoble, France) ,  Veirman J. (Univ Grenoble Alpes, CEA, LITEN, DTS, INES, F-38000, Grenoble, France) ,  Fourmond E. (Univ. Lyon, INSA-Lyon, INL UMR5270, F-69621, Villeurbanne, France)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 238  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全なサイズのシリコンヘテロ接合太陽電池は25%以上の変換効率に達する。しかし,このような細胞(完全またはカット)の光ルミネセンス像は,細胞エッジで有意な再結合活性を明らかにした。したがって,エッジでの再結合の緩和は,原理的には,より高いセル効率をロックする興味ある経路を表すことができる。この課題は,全サイズの細胞の切断によって達成されるように,高い周囲/面積比を有する電池にとって,すべて重要である。そのような技術に対して,切断から生じるエッジは切断され,一方,残りのエッジは,典型的には,TCOが前面からバック短絡を回避できないギャップを特徴とする。本論文では,SHJセルに対するエッジ誘起性能損失に関与する物理的メカニズムを明らかにした。これらの結果を考慮して,TCOフリー領域の減少とc-Siバルク抵抗のようなM6からM12サイズに対する全サイズとカットセルスケールでのこのような損失の緩和のためのガイドラインを提供した。カットセルでのより密な探索により,そのサイズ(半から6セルまで),その母細胞(M6からM12)のサイズ,およびカットエッジの不動態化品質の関数としてセル性能を計算した。本結果は,母細胞の効率を改善し,さらに凌駕するために,カットセルのための適切な再不動態化スキームを開発する興味を強調した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再結合 ,  シミュレーション ,  性能 ,  *太陽電池 ,  *電池 ,  光ルミネセンス ,  損失 ,  *ケイ素 ,  不動態化 ,  比率
準シソーラス用語： 再不動態化 ,  変換効率 ,  面積比 ,  *ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリコンヘテロ接合太陽電池 ,  エッジ損失 ,  シミュレーション ,  フルサイズとカットセル ,  エッジパッシベーション品質

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  セル ,  エッジ