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J-GLOBAL ID：202202273643552411   整理番号：22A0974594

暗号化オプトエレクトロニック論理回路のための不揮発性van der Waalsヘテロ構造フォトトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Nonvolatile van der Waals Heterostructure Phototransistor for Encrypted Optoelectronic Logic Circuit

著者 (14件)： Wang Shuang (Institute of Brain-Inspired Intelligence, National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Pan Xuan (Institute of Brain-Inspired Intelligence, National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Lyu Lingyuan (Institute of Brain-Inspired Intelligence, National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Lyu Lingyuan (Physics Department, Harvey Mudd College, California, United States) ,  Wang Chen-Yu (Institute of Brain-Inspired Intelligence, National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Wang Pengfei (Institute of Brain-Inspired Intelligence, National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Pan Chen (Institute of Interdisciplinary Physical Sciences, School of Science, Nanjing University of Science and Technology, China) ,  Yang Yuekun (Institute of Brain-Inspired Intelligence, National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Wang Cong (Institute of Brain-Inspired Intelligence, National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Shi Jingwen (Institute of Brain-Inspired Intelligence, National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Cheng Bin (Institute of Interdisciplinary Physical Sciences, School of Science, Nanjing University of Science and Technology, China) ,  Yu Wentao (Institute of Interdisciplinary Physical Sciences, School of Science, Nanjing University of Science and Technology, China) ,  Liang Shi-Jun (Institute of Brain-Inspired Intelligence, National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Miao Feng (Institute of Brain-Inspired Intelligence, National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 16  号： 3  ページ： 4528-4535  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 情報セキュリティに対する需要の上昇に伴い,安全な論理回路を設計するためのデバイスの固有物理特性の利用に関心が高まっている。ここでは,不揮発性van der Waals(vdW)ヘテロ構造光トランジスタに基づく安全な光電子論理回路を実現するための革新的アプローチを提供した。WSe_2とh-BNフレークから成るフォトトランジスタは電気的および光刺激の協同操作の下で不揮発性コンダクタンスの電気的同調性を示した。この興味深い特徴は,光トランジスタが,設計秘密鍵で情報暗号化を直接達成できる,安全な光電子論理回路の設計のためのビルディングブロックとして研究することを可能にする。このアプローチに基づいて,2つのフォトトランジスタをオプトエレクトロニックハイブリッド回路に組み立て,再構成可能な方法で論理ゲート(すなわち,NOR,XOR,NAND)の機能的に完全なセットを実装する。著者らの知見は,再構成可能な安全なオプトエレクトロニック回路の開発に対する不揮発性光トランジスタの可能性を強調する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *論理回路 ,  *フォトトランジスタ ,  *素子構造 ,  光刺激 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  非揮発性 ,  暗号鍵 ,  コンダクタンス ,  光電子 ,  情報セキュリティ
準シソーラス用語： 論理ゲート ,  *ヘテロ構造 ,  ビルディングブロック ,  再構成可能性 ,  六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 安全なオプトエレクトロニクス回路 ,  両極性2D材料 ,  vdWヘテロ構造 ,  非揮発性 ,  論理関数

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 暗号化 ,  論理回路 ,  不揮発性 ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  フォトトランジスタ