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J-GLOBAL ID：202202273922276585   整理番号：22A0834252

La3+/Tiナノドット4+共置換SrBi_2Ta_2O_9Aurivillius相における誘電および強誘電応答の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhanced dielectric and ferroelectric responses in La³⁺/Ti⁴⁺ co-substituted SrBi₂Ta₂O₉ Aurivillius phase

著者 (6件)： Zulhadjri (Department of Chemistry, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Universitas Andalas, Kampus Limau Manis, Padang, 25163, Indonesia) ,  Wendari Tio Putra (Department of Chemistry, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Universitas Andalas, Kampus Limau Manis, Padang, 25163, Indonesia) ,  Ikhram Mukhniyal (Department of Chemistry, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Universitas Andalas, Kampus Limau Manis, Padang, 25163, Indonesia) ,  Putri Yulia Eka (Department of Chemistry, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Universitas Andalas, Kampus Limau Manis, Padang, 25163, Indonesia) ,  Septiani Upita (Department of Chemistry, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Universitas Andalas, Kampus Limau Manis, Padang, 25163, Indonesia) ,  Imelda (Department of Chemistry, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Universitas Andalas, Kampus Limau Manis, Padang, 25163, Indonesia)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 7  ページ： 10328-10332  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶融塩法を用いて,Aurivillius相SrBi_2Ta_2O_9(SBT)とSr_0.9La_0.1Bi_2Ta_1.9Ti_0.1O_9(SLBTT)を調製した。XRDデータとLe Bail精密化法は,両サンプルが斜方晶系A2_1am構造を有する二重層Aurivillius相を形成することを示した。SLBTTセル体積は,より小さいLa3+とTi4+イオンの置換と板状結晶粒の増加したサイズを有するSBTと比較して小さい。FTIR分析は,Ti-O-TiとTi-O-Ta結合を形成するBサイトでのTi4+の2つの局所配列を示した。La3+とTi4+置換による構造特性の変化は電気的性質に反映された。拡散相転移挙動(DPT)を有する455°Cの高い強誘電性転移温度(T_c)がSLBTTで得られた。SLBTTの不飽和ヒステリシスループは,それぞれ,0.43μC/cm2の強誘電性残留分極(P_r)と110.6kV/cmの抗電場(E_c)を得た。強誘電特性の向上と,可変のより小さなカチオンの置換によって駆動されるより高いバンドギャップ(E_g)を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  相転移 ,  転移温度 ,  誘電率 ,  X線回折分析 ,  融解塩 ,  *強誘電性 ,  カチオン ,  斜方晶系 ,  抗電場 ,  バンドギャップ ,  残留分極
準シソーラス用語： *ナノドット ,  ヒステリシスループ ,  *誘電応答 ,  *Aurivillius相 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Aurivillius ,  カチオン置換 ,  斜方晶構造 ,  誘電定数 ,  強誘電挙動 ,  拡散相転移

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  ナノドット ,  置換 ,  誘電応答 ,  増強