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J-GLOBAL ID：202202273987246085   整理番号：22A0955982

β-Ga_2O_3/SrRuO_3Schottky界面におけるFowler-Nordheimトンネリング【JST・京大機械翻訳】

Fowler-Nordheim tunneling in β-Ga₂O₃/SrRuO₃ Schottky interfaces

著者 (11件)： Li Jiahao (Department of Applied Physics, College of Science, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu 211106, People’s Republic of China) ,  Li Jiahao (MIIT Key Laboratory of Aerospace Information Materials and Physics, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 211106, People’s Republic of China) ,  Ji Yanda (Department of Applied Physics, College of Science, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu 211106, People’s Republic of China) ,  Ji Yanda (MIIT Key Laboratory of Aerospace Information Materials and Physics, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 211106, People’s Republic of China) ,  Pan Rui (Department of Applied Physics, College of Science, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu 211106, People’s Republic of China) ,  Pan Rui (MIIT Key Laboratory of Aerospace Information Materials and Physics, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 211106, People’s Republic of China) ,  Zhao Run (Jiangsu Key Laboratory of Micro and Nano Heat Fluid Flow Technology and Energy Application, College of Mathematics and Physics, Suzhou University of Science and Technology, Suzhou 215009, People’s Republic of China) ,  Yuan Ye (Songshan Lake Materials Laboratory, Dongguan, Guangdong 523808, People’s Republic of China) ,  Li Weiwei (Department of Applied Physics, College of Science, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu 211106, People’s Republic of China) ,  Li Weiwei (MIIT Key Laboratory of Aerospace Information Materials and Physics, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 211106, People’s Republic of China) ,  Yang Hao (Department of Applied Physics, College of Science, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu 211106, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 21  ページ： 210003 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ構造における界面は,調整可能な機能性を有するプロトタイプ電子デバイスとして常に出現する。これらの界面の基本的特性はエピタクシー工学によって細かく操作できる。最近,Ga_2O_3,超ワイドバンドギャップ半導体に基づくヘテロ構造が,高パワーデバイス応用での使用のために報告されている。ここでは,c面サファイア上に集積したβ-Ga_2O_3/SrRuO_3のヘテロ構造を示し,そこでは高密度の刃状転位がヘテロ構造界面で証明された。支配的なショットキー発光機構とは別に,Fowler-Nordheimトンネリングも漏れ電流解析によって明らかにされ,それは界面でのエッジ転位に起因する可能性がある。これらの結果は,超ワイドバンドギャップ材料およびデバイスの基本的な理解を高める。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *界面 ,  発光 ,  刃状転位 ,  素子構造 ,  漏れ電流 ,  サファイア ,  *Fowler-Nordheimトンネリング ,  プロトタイプ
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ ,  ヘテロ構造 ,  パワーデバイス ,  電子素子 ,  高密度 ,  機能性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 界面 ,  Fowler-Nordheimトンネリング