文献

J-GLOBAL ID：202202274271943729   整理番号：22A0994617

非吸収窓を持つ高性能InGaAs/AlGaAs量子井戸レーザダイオード【JST・京大機械翻訳】

High Performance InGaAs/AlGaAs Quantum Well Semiconductor Laser Diode with Non-absorption Window

著者 (5件)： Liu Cuicui (中国原子能科学研究院 核物理所, 北京 102413;国防科技工業抗輻照応用技術創新中心, 北京 102413) ,  Lin Nan (中国科学院半導体研究所 光電子器件国家工程中心, 北京 100083;中国科学院大学, 北京 100049) ,  Ma Xiaoyu (中国科学院半導体研究所 光電子器件国家工程中心, 北京 100083;中国科学院大学, 北京 100049) ,  Jing Hongqi (中国科学院半導体研究所 光電子器件国家工程中心, 北京 100083;中国科学院大学, 北京 100049) ,  Liu Suping (中国科学院半導体研究所 光電子器件国家工程中心, 北京 100083;中国科学院大学, 北京 100049)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 43  号： 1  ページ： 110-118  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 近赤外単一発光領域InGaAs/AlGaAs量子井戸半導体レーザダイオードの故障閾値パワー向上を制限する空洞面光学損傷問題を解決するために,Si不純物誘起量子井戸ハイブリッド非吸収窓を持つ新しいレーザダイオードを開発した。そして,その性能をテストした。まず、非吸収窓を持つダイオードに対して、その共振空洞の上方前後に空洞面付近の窓領域に50nmSi/100nmSiO2複合媒体層を被覆した。50nmSi/100nmTiO2混合媒体層を,空洞面から離れた利得領域で被覆し,875°C/90sの急速熱処理により,Si不純物拡散誘起量子井戸の混在を促進し,非放射再結合中心を除去した。その後、同じエピタキシャル構造、同じフローシート技術に基づき、非吸収窓のレーザーダイオードを対照群とした。測定結果は,非吸収窓を持つ新しいレーザダイオードの平均ピーク出力が33.6%増加し,平均ピーク出力電流が約50.4%増加し,空洞表面の光学損傷の発生確率と破壊程度が明らかに低下し,その閾値電流が増加することを示した。スロープ効率及び半値全幅などの特性も如何なる退化もない。この研究により、Si不純物誘導量子井戸ハイブリッド技術による非吸収窓は、近赤外単一発光領域InGaAs/AlGaAs量子井戸半導体レーザダイオード空洞面の光学災害損傷に対して明らかな抑制効果を有することが証明された。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *ダイオード ,  発光 ,  半導体 ,  *半導体レーザ ,  不純物 ,  ケイ素 ,  媒質 ,  近赤外線 ,  利得 ,  *量子井戸 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  FWHM
準シソーラス用語： 非放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窓 ,  高性能 ,  InGaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸レーザ ,  ダイオード