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J-GLOBAL ID:202202274313864109   整理番号:22A1056724

4ケルビン上のフィン電界効果トランジスタにおける正孔スピンキュービット【JST・京大機械翻訳】

A hole spin qubit in a fin field-effect transistor above 4 kelvin
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 178-183  発行年: 2022年 
JST資料番号: W4776A  ISSN: 2520-1131  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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量子コンピューティングにおける最大の課題はスケーラビリティを達成している。以前にそのような問題に直面した古典的計算は,現在,フィン電界効果トランジスタの10億をホストするシリコンチップに依存している。これらの素子は量子応用に対して十分小さい:低温ではゲート下でトラップされた電子または正孔はスピン量子ビットとして機能する。このようなアプローチは,量子ハードウェアとその古典的制御エレクトロニクスを同じチップに統合できる。しかし,これは,冷却が熱放散を克服する1K以上の温度でキュービット操作を必要とする。ここでは,シリコンフィン電界効果トランジスタが4K以上で動作するスピン量子ビットをホストできることを示した。150MHzまでの駆動周波数,フォールトトレランス閾値での単一キュービットゲート忠実度および87より大きいRabi-振動品質因子を有する正孔スピンの高速電気制御を達成した。本デバイスは,産業適合性と品質の両方を特徴とし,更なる開発を加速する柔軟でアジャイルな方法で製造される。Fin型トランジスタは,同じパッケージで共積分された従来のエレクトロニクスによって制御された量子コンピューティングシステムのスケーリングと開発を可能にするため,十分に高い温度で正孔スピン量子ビットをホストできる。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Nature Limited 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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量子力学一般 
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