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J-GLOBAL ID：202202274420045443   整理番号：22A0473264

He注入UO_2におけるRaman欠陥ピークのアニーリング【JST・京大機械翻訳】

Annealing of the Raman defect peaks in He-implanted UO₂

著者 (3件)： Desgranges Lionel (CEA, DES, IRESNE, DEC, Cadarache, Saint-Paul-Lez-Durance F-13108, France) ,  Canizares Aurelien (CEMHTI - UPR3079 CNRS, CS 90055, 1D avenue de la Recherche Scientifique 45071 Orleans Cedex 2 France) ,  Simon Patrick (CEMHTI - UPR3079 CNRS, CS 90055, 1D avenue de la Recherche Scientifique 45071 Orleans Cedex 2 France)
資料名： Journal of Nuclear Materials  (Journal of Nuclear Materials)
巻： 559  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0148A  ISSN： 0022-3115  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UO_2関連材料のRaman分光法により得られたデータの開発は,いわゆる欠陥ピークの理解を必要とする。そのために,He注入UO_2試料のRamanスペクトルを温度の関数として測定した。文献で報告されている既知のアニーリング温度に対応する2つのアニーリング段階を証明した。これらの結果を,欠陥がRaman欠陥ピークの起源にあるかどうかを確認するために考察した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  *焼なまし ,  Raman分光法
準シソーラス用語： アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： UO_2 ,  Raman分光法 ,  移植 ,  欠陥 ,  欠陥アニーリング

分類 (1件)： 核燃料の基礎的性質  (MD08020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： He ,  注入 ,  アニーリング