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J-GLOBAL ID：202202274420919017   整理番号：22A0691911

電気化学エッチングにより作製した[数式:原文を参照]超薄膜の金属-絶縁体転移周囲の輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Transport properties around the metal-insulator transition for [Formula : see text] ultrathin films fabricated by electrochemical etching

著者 (4件)： Okuma Hikaru (Department of Basic Science, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8902, Japan) ,  Katayama Yumiko (Department of Basic Science, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8902, Japan) ,  Otomo Keisuke (Department of Basic Science, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8902, Japan) ,  Ueno Kazunori (Department of Basic Science, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8902, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 105  号： 4  ページ： 045138  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学エッチングを用いて,3単分子層(ML)まで金属挙動を示す導電性超薄[数式:原文を参照](SVO)膜を作製した。膜厚の減少に伴う輸送特性の観察された系統的変化から,膜の無秩序はエッチング中にほとんど変化せず,厚さだけが減少した。これは,蒸着したままのSVO超薄膜に対して見出された絶縁挙動と対照的である。エッチングされた膜では,200Kでの電子移動度は10ML以下の膜厚の減少で減少し,金属-絶縁体転移近くの散乱速度と電子有効質量の増加に起因した。抵抗率の僅かな上昇と低温での正の磁気抵抗が3MLまでのエッチング膜で典型的に観察され,弱い不規則金属中の電子の弱い反局在化によって説明された。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  磁気抵抗 ,  低温 ,  電気抵抗率 ,  単分子層 ,  *金属-絶縁体転移 ,  膜厚 ,  有効質量 ,  *超薄膜 ,  導電性
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  *輸送特性 ,  *電気化学エッチング ,  散乱速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電気化学エッチング ,  作製 ,  数式 ,  参照 ,  薄膜 ,  金属-絶縁体転移 ,  輸送特性