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J-GLOBAL ID：202202274453962631   整理番号：22A0099884

H_2発生およびCr(VI)還元のためのZ-スキーム光触媒としてのZnS/エチレンジアミンの熱処理により得られたZnS/ZnOナノシート【JST・京大機械翻訳】

ZnS/ZnO nanosheets obtained by thermal treatment of ZnS/ethylenediamine as a Z-scheme photocatalyst for H₂ generation and Cr(VI) reduction

著者 (11件)： Poliukhova Valeriia (Materials Architecturing Research Center, Korea Institute of Science & Technology, 5 Hwarang-ro 14-gil, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Poliukhova Valeriia (Division of Nano & Information Technology, KIST School, Korea University of Science and Technology, 217 Gajeong-ro Yuseong-gu, Daejeon 34113, Republic of Korea) ,  Khan Sovann (International Institute for Carbon Neutral Energy Research (WPI-I2CNER), Kyushu University, Motooka 744, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Qiaohong Zhu (Key Laboratory for Advanced Materials and Institute of Fine Chemicals, East China University of Science and Technology, 130 Meilong Road, Shanghai 200237, PR China) ,  Zhang Jinlong (Key Laboratory for Advanced Materials and Institute of Fine Chemicals, East China University of Science and Technology, 130 Meilong Road, Shanghai 200237, PR China) ,  Kim Doyeon (Materials Architecturing Research Center, Korea Institute of Science & Technology, 5 Hwarang-ro 14-gil, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Kim Doyeon (Computational Science Research Center, Korea Institute of Science & Technology, 5 Hwarang-ro 14-gil, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Kim Seungchul (Division of Nano & Information Technology, KIST School, Korea University of Science and Technology, 217 Gajeong-ro Yuseong-gu, Daejeon 34113, Republic of Korea) ,  Kim Seungchul (Computational Science Research Center, Korea Institute of Science & Technology, 5 Hwarang-ro 14-gil, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Cho So-Hye (Materials Architecturing Research Center, Korea Institute of Science & Technology, 5 Hwarang-ro 14-gil, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Cho So-Hye (Division of Nano & Information Technology, KIST School, Korea University of Science and Technology, 217 Gajeong-ro Yuseong-gu, Daejeon 34113, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 575  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ZnS/エチレンジアミンナノシートをソルボサーマル合成により得,熱処理によりZnSとZnOの複合材料に修飾した。純粋なZnOおよびZnSと比較して,ZnS/ZnO複合材料は,水(500μmolh-1g-1)からの水素発生および毒性Cr(VI)の光還元(k=0.0078min-1)に対して,優れた光触媒活性を示した。Rietveld精密化XRDパターン,高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM),X線光電子分光法(XPS),およびUV-vis拡散反射スペクトル(DRS)は,複合体がZnSとZnOの固溶体の代わりにヘテロ接合構造を形成することを明確に示した。密度汎関数理論(DFT)モデリングをヘテロ接合界面で行い,アニオン欠陥(S-およびO-欠損)がZ-スキーム光触媒発生を可能にすることを示唆した。ZnS/ZnO複合材料の欠陥状態をXPSと電子常磁性共鳴(EPR)測定によって確認し,酸素空孔の存在を示唆した。欠陥はZnSとZnOのバンドギャップ内に深いエネルギー状態を生成し,ZnOの伝導バンドからZnSの価電子帯と電子から正孔を誘引する。それによって,ZnSの伝導バンドにおける電子とZnOの価電子帯における正孔が確保され,レドックス能力の向上を可能にした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  ヘテロ接合 ,  固溶体 ,  正孔 ,  *酸化亜鉛 ,  *硫化亜鉛 ,  伝導バンド ,  酸化還元反応 ,  アニオン ,  価電子バンド ,  *光触媒 ,  *ナノシート ,  アルキレンジアミン ,  ジアミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  *Z-スキーム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ZnS/ZnO複合材料 ,  Zスキーム ,  H_2生産 ,  Cr(VI)還元 ,  光触媒 ,  密度汎関数理論(DFT)

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W)

物質索引 (1件)： エチレンジアミン

タイトルに関連する用語 (9件)： Cr ,  還元 ,  Z-スキーム ,  光触媒 ,  ZnS ,  エチレンジアミン ,  熱処理 ,  ZnO ,  ナノシート