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J-GLOBAL ID:202202274612693595   整理番号:22A1159627

半導体<イオン液体>層状クラスレートにおける量子エネルギー蓄積【JST・京大機械翻訳】

Quantum energy accumulation in semiconductor < ionic liquid > layered clathrates
著者 (7件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 1147-1153  発行年: 2022年 
JST資料番号: W6363A  ISSN: 2190-5517  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,GaSeとInSeの塩基上の半導体<イオン液体>クラスレートの合成に成功した。イオン液体1-ブチル-3-メチルイミダゾールテトラフルオロボラートを3段階再インターカレーション法により6倍拡張GaSeまたはInSeマトリックスの層間にカプセル化した。インピーダンススペクトルの特性,損失正接,および合成カプセルの測定した誘電率と,照明および磁場中の変化を調べた。合成したナノハイブリッド構造の電流-電圧特性は,外部エネルギー源から電気エネルギーを蓄積する能力を確認した。量子電池としてのナノエレクトロニクスへの応用に関して,合成したナノハイブリッドが興味深い条件を考察した。Copyright King Abdulaziz City for Science and Technology 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分子化合物 
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