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J-GLOBAL ID：202202274853527532   整理番号：22A0149898

LEDポンプRamanレーザ:オンチップ全シリコンレーザの設計に向けて【JST・京大機械翻訳】

LED pumped Raman laser: Towards the design of an on-chip all-silicon laser

著者 (3件)： Pradhan Akash Kumar (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (Indian School of Mines), Dhanbad, Jharkhand 826004, India) ,  Sen Mrinal (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (Indian School of Mines), Dhanbad, Jharkhand 826004, India) ,  Datta Tanmoy (Department of Physics & Electronics, Vivekananda Mahavidyalaya, Haripal, Hooghly, West Bengal 712405, India)
資料名： Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)
巻： 147  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0245B  ISSN： 0030-3992  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オンチップシリコンRamanレーザの設計を,スロット付きフォトニック結晶ナノ共振器に基づいて提案した。スロットは,超高Raman利得係数を持つシリコンナノ結晶材料で満たされ,ナノキャビティ内の密な時空間光閉じ込めによってさらに強化された。結果的に,レーザ発振に必要な閾値電力は実質的に小型化され,光ポンピング用の発光ダイオード(LED)サフィスが実現される。LEDはシリコンナノ結晶材料の効率的なエレクトロルミネセンスを利用したシリコンナノ結晶埋め込みスロット型フォトニック結晶ナノ共振器と同じプラットフォームへの集積に適している。ポンプとStokes光子の発展を支配する,刺激Raman散乱相互作用に対する結合モード方程式を,提案したレーザの特性を分析するために,新しい自己無撞着アルゴリズムを用いて解いた。5μWの小さいレーザ発振閾値パワーを達成した。さらに,提案したLED励起レーザの小さい信号周波数応答も定常状態条件で評価し,約1.6GHzの高い変調帯域幅を示し,従来のRamanレーザよりもほぼ2桁高かった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Raman散乱 ,  アルゴリズム ,  エレクトロルミネセンス ,  発光ダイオード ,  周波数応答 ,  相互作用 ,  光ポンピング ,  電力 ,  小型化 ,  *Ramanレーザ ,  レーザ発振 ,  微小共振器 ,  フォトニック結晶
準シソーラス用語： *オンチップ ,  ナノキャビティ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ramanレーザ ,  フォトニック結晶(PhC) ,  スロットフォトニック結晶ナオキャビティ ,  光集積回路(PIC)

分類 (1件)： 固体レーザ  (BD04080W)

タイトルに関連する用語 (6件)： LED ,  Ramanレーザ ,  オンチップ ,  シリコン ,  レーザ ,  設計