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J-GLOBAL ID：202202275009369069   整理番号：22A0433530

TBTDET前駆体とNH_3反応ガスを用いた原子層蒸着TaN薄膜の有効仕事関数【JST・京大機械翻訳】

The effective Work-Function of atomic layer deposited TaN thin film using TBTDET precursor and NH₃ reactant gas

著者 (5件)： Kim Minhyuk (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Choi Moonsuk (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Lee Juhyeon (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Jin Weinan (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Choi Changhwan (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 579  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2ゲート誘電体を有する金属酸化物半導体(MOS)デバイスを用いて,原子層堆積(ALD)窒化タンタル(TaN)の有効仕事関数(EWF)に及ぼすキャッピング金属とポストアニーリングの影響を調べた。トリス(diethylam-ido)(tert-ブチルイミド)タンタル(TBTDET)前駆体とアンモニア(NH_3)をそれぞれタンタル前駆体と反応ガスとして使用した。ALD TaN厚さの増加は,キャッピング金属に関係なくより高いEWFをもたらす。アルミニウム(Al)をキャッピング金属として用いると,EWF範囲は4.06eVから4.45eVであり,これはn型素子のゲート電極に適し,タングステン(W)キャッピング金属では,EWF範囲は4.43eVから4.80eVであり,p型素子のゲート電極に対して許容できる。これらの結果は,Alが酸素捕捉を引き起こし,HfO_2内でより多くの酸素空孔をもたらすが,Wは酸素とほとんど反応しないことに起因する。AlとWキャッピングの場合のEWF対ALD TaN厚さ依存性は,それぞれ55.7meV/nmと52.8meV/nmであった。追加熱処理は,さらに,両方の場合でEWFをさらに増加し,それはTaN内の炭素含有量の減少に起因する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *仕事関数 ,  熱処理 ,  *薄膜 ,  アルミニウム ,  酸素 ,  アンモニア ,  捕獲 ,  *前駆体 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 窒化タンタル ,  酸素空格子点 ,  ゲート電極 ,  *反応ガス ,  ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： TaN ,  原子層蒸着 ,  仕事関数 ,  高k/金属ゲート ,  TBTDET

分類 (1件)： 電子放出一般  (BM09010H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 前駆体 ,  反応ガス ,  原子層蒸着 ,  薄膜 ,  仕事関数