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J-GLOBAL ID：202202275076749031   整理番号：22A0898576

電子励起によるCuGaS_2薄膜の光学バンドギャップにおけるサブバンド状態形成の研究【JST・京大機械翻訳】

Study of sub-band states formation in the optical band gap of CuGaS₂ thin films by electronic excitations

著者 (10件)： Viveka S. Suba (School of Physics, Madurai Kamaraj University, Madurai, Tamil Nadu, India) ,  Logu T. (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Logu T. (SPECIFIC, Materials Research Centre, Faculty of Science and Engineering, Swansea University, Swansea, UK) ,  Ahsan N. (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Asokan K. (Materials Science Division, Inter University Accelerator Centre (IUAC), New Delhi, India) ,  Asokan K. (Department of Physics & Centre for Interdisciplinary Research, University of Petroleum and Energy Studies (UPES) Dehradun, Uttarakhand, India) ,  Kalainathan S. (Centre for Nanotechnology Research, Vellore Institute of Technology, Vellore, India) ,  Sethuraman K. (School of Physics, Madurai Kamaraj University, Madurai, Tamil Nadu, India) ,  Sethuraman K. (Department of Materials Science, School of Technology, Central University of Tamil Nadu, Thiruvarur, India) ,  Okada Y. (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 164  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スプレー蒸着CuGaS_2(CGS)薄膜の構造的,光学的,形態的および電気的性質に及ぼす3つの異なるイオンビーム,すなわちAu,AgおよびOイオンによる電子励起の影響を100~120MeVおよび5×1012イオン/cm2のフルエンスで調べた。粉末X線回折と顕微Raman分光測定は,照射後の結晶性と結晶サイズの増加の顕著な改良を明らかにした。原子間力顕微鏡(AFM)は,イオン照射後の表面粗さの二乗平均平方根値と粒径の変化を明らかにした。UV/Vis-NIR分光法は,イオン照射膜が,伝導と価電子帯の間の新しいサブバンド状態の生成に起因する,元のCGSと比較して赤方偏移を示すことを示した。CGS薄膜の抵抗率は,Au-,Ag-およびO-イオン照射後,それぞれ5.33×10-2Ωcmから1.30×10-2Ωcm,9.6×10-2Ωcmおよび9.63×10-2Ωcmに変化した。1.196mAの最高光電流がAuイオン照射CGS膜で観察された。すべての結果を比較することによって,Auイオン照射CGS薄膜が光起電力応用に適した光吸収体として作用すると結論した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  光起電力 ,  光電流 ,  赤方偏移 ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  光吸収 ,  金 ,  価電子バンド ,  イオン照射 ,  蒸着 ,  *電子励起 ,  Raman分光法 ,  フルエンス ,  *光学ギャップ

著者キーワード (5件)： SHI照射 ,  黄銅鉱 ,  硫化銅ガリウム ,  噴霧熱分解 ,  サブバンドギャップ

分類 (3件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子励起 ,  薄膜 ,  光学バンドギャップ ,  サブバンド ,  研究