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J-GLOBAL ID：202202275164608169   整理番号：22A0648656

抵抗スイッチングメモリスタ:パラメータ変動の物理的性質の直接観察について【JST・京大機械翻訳】

Resistive Switching Memristor: On the Direct Observation of Physical Nature of Parameter Variability

著者 (12件)： Wang Zheng (School of Materials and Energy, Lanzhou University, P. R. China) ,  Xiao Wei (School of Materials and Energy, Lanzhou University, P. R. China) ,  Yang Huiyong (School of Materials and Energy, Lanzhou University, P. R. China) ,  Zhang Shengjie (School of Materials and Energy, Lanzhou University, P. R. China) ,  Zhang Yukun (School of Materials and Energy, Lanzhou University, P. R. China) ,  Sun Kai (School of Materials and Energy, Lanzhou University, P. R. China) ,  Wang Ting (School of Materials and Energy, Lanzhou University, P. R. China) ,  Fu Yujun (School of Materials and Energy, Lanzhou University, P. R. China) ,  Wang Qi (School of Materials and Energy, Lanzhou University, P. R. China) ,  Zhang Junyan (State Key Laboratory of Solid Lubrication Lanzhou Institute of Chemical Physics Chinese Academy of Sciences, China) ,  Hasegawa Tsuyoshi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Japan) ,  He Deyan (School of Materials and Energy, Lanzhou University, P. R. China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 1  ページ： 1557-1567  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンベースのメムリスティブスイッチングは,貯蔵と神経形態学的コンピューティングにおける顕著な利点のために,産業から広く注目されている。レドックスベースのイオンデバイスにおける高機能記憶の脳にヒントを得た計算を達成するためのMajor問題は,それらの動作パラメータおよび限られたサイクリング耐久性において比較的大きい変動性である。いくつかのデバイスにおいて,揮発性および不揮発性操作は,運転条件を変えることなく,しばしば互いに置き換わる。これらの問題に取り組むために,反復操作で何が起こるかを直接観察することが重要である。ここでは,大きなパラメータ変動の微視的起源を検証するために,繰返しスイッチング下での金属ホイスカの核形成と成長における微視的挙動の直接捕獲を可能にする平面デバイスを用いた。ギャップ>1μmの平面高分子原子スイッチを用いて達成したメムリスタスイッチングにおける大きなサイクル対サイクルとデバイスからデバイスへの変動の物理的起源を明らかにする直接観察を報告した。金属原子の堆積位置はイオン輸送層(固体高分子電解質,SPE)の結晶性に密接に関連していることを見出した。異なるサイクルとデバイスの間のフィラメントの変動性(形状,位置,量など)は,実際に運転特性で観察された変動の主な理由である。結果は,イオンデバイスの操作の複雑性に独特の光を当て,すなわち,誘電体層と金属フィラメントの発展を考慮しなければならない。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *イオン ,  核形成 ,  誘電体 ,  ホイスカ ,  高分子 ,  結晶度 ,  イオン輸送 ,  酸化還元反応 ,  捕獲 ,  揮発性 ,  高分子固体電解質
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  原子スイッチ ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： メムリスタ ,  抵抗スイッチング ,  固体高分子電解質 ,  イオン ,  その場XRD

分類 (4件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  二次電池  (YB04030K) ,  電池一般  (YB04010O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 抵抗スイッチング ,  メモリスタ ,  パラメータ変動 ,  物理的性質