文献

J-GLOBAL ID：202202275180235406   整理番号：22A1100863

ハイブリッドスピントロニクス/CMOSメモリに基づく新しい計算インメモリプラットフォーム【JST・京大機械翻訳】

A Novel Computing-in-Memory Platform Based on Hybrid Spintronic/CMOS Memory

著者 (8件)： Yang Zhi (School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  He Kuiqing (School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Zhang Zeqing (School of General Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Lu Yao (School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Li Zheng (School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Wang Yijiao (MIIT Key Laboratory of Spintronics, Beijing Advanced Innovation Center for Big Data and Brain Computing (BDBC), School of Integrated Circuit Science and Engineering, Fert Beijing Research Institute, Beihang University, Beijing, China) ,  Wang Zhaohao (MIIT Key Laboratory of Spintronics, Beijing Advanced Innovation Center for Big Data and Brain Computing (BDBC), School of Integrated Circuit Science and Engineering, Fert Beijing Research Institute, Beihang University, Beijing, China) ,  Zhao Weisheng (MIIT Key Laboratory of Spintronics, Beijing Advanced Innovation Center for Big Data and Brain Computing (BDBC), School of Integrated Circuit Science and Engineering, Fert Beijing Research Institute, Beihang University, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 4  ページ： 1698-1705  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピントロニクスデバイスに基づく計算メモリ(CiM)は,von Neumannボトルネックに対処する最も有望な解決策の1つであると考えられている。本論文では,ハイブリッドスピントロニクス/CMOSメモリに基づく新しいCiMプラットフォームを提案し,メモリモードと計算モードで動作する。メモリに複雑な論理ユニットを統合する代わりに,計算を行うための周辺回路に小さな修正を行う。ハイブリッドメモリとよく修正した周辺回路のユニークな特性から,三つの異なる計算方式を導入し,計算結果を典型的なメモリ読み出しとして得た。16のBoole論理関数と演算を含む複雑なバルクビットワイズ論理関数を,提案した方式と入力変数を動的に構成することによって実行することができた。すべての計算関数を不揮発性ビット書き込み操作なしで実行することができ,オペランドの位置に制限がない。1ビットフル加算器とマルチビットリップルキャリー加算器を,プラットフォームの柔軟な利用の実例として設計した。40nmの技術ノードでのハイブリッドスピントロニクス/CMOSシミュレーションは,本研究の機能性と性能をさらに実証した。不揮発性メモリ書き込み動作の性能は,トグルスピントルク機構を利用することによって,著しく改善され,デバイス製作のための要求は減少する。著者らの設計の抵抗マージンは,以前の並列接続方式と比較して2倍大きかった。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  シミュレーション ,  加算器 ,  論理関数 ,  並列接続 ,  回路 ,  不揮発性メモリ ,  非揮発性 ,  *スピントロニクス ,  *CMOS
準シソーラス用語： 周辺回路 ,  オペランド ,  読出し , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： スピントロニクス ,  CMOSメモリ ,  計算