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J-GLOBAL ID：202202275214578687   整理番号：22A0497703

Al/LiCdO/p-Si光センサの作製と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and characterization of Al/LiCdO/p-Si optical sensor

著者 (1件)： Cavas Mehmet (Department of Mechatronics Engineering, Faculty of Technology, Firat University, Elazig, Turkey)
資料名： Indian Journal of Physics  (Indian Journal of Physics)
巻： 96  号： 2  ページ： 555-563  発行年： 2022年 
JST資料番号： A1467A  ISSN： 0973-1458  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ゾル-ゲルスピンコーティング法を用いて純CdOと0.1%LiドープCdO薄膜を作製した。本研究の主目的は,CdO薄膜の光応答に及ぼすLiドーピング比の影響を調べることであった。この範囲内で,純CdOとLiドープCdO化学溶液を調製し,次に,薄膜としてp-Siウエハと顕微鏡ガラス上に堆積した。次に,薄膜の表面形態と光応答特性を調べた。最初に,薄膜のモルフォロジー構造を研究し,薄膜の粗さとサイズを決定した。第二に,薄膜の光応答を調べ,光学的性質を決定した。薄膜の光応答の決定において,膜を研究し,暗条件と異なる発光強度の両方で測定した過渡光電流を測定した。薄膜の理想因子と障壁高さパラメータは,それぞれ3.5と0.81eVと計算された。最後に,容量-電圧(C-V),界面状態密度(D_it),コンダクタンス-電圧(G-V),および直列抵抗(R_s)を,種々の周波数で研究した。得られた結果は,Liドーピング比がCdO薄膜の電気的および光学的特性を変えることを示した。この知見は,異なる割合のLiドーピング比を用いて,CdOの光学的および電気的特性の両方が,フォトダイオードまたは光検出器として,光電子デバイスでの使用のために変化し,改良できることを確認した。Copyright Indian Association for the Cultivation of Science 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ガラス ,  光電流 ,  電圧 ,  薄膜 ,  フォトダイオード ,  応答特性 ,  電気的性質 ,  *リチウム ,  ドーピング ,  ゾル-ゲル法 ,  コンダクタンス ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  表面形態 ,  障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノ材料 ,  光検出器 ,  フォトダイオード ,  薄膜 ,  CdO膜

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  Si ,  光センサ ,  作製 ,  特性評価