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J-GLOBAL ID：202202275354455358   整理番号：22A1161917

高量子効率長波長赤外検出器用の短周期InAsSbベース歪層超格子【JST・京大機械翻訳】

Short-period InAsSb-based strained layer superlattices for high quantum efficiency long-wave infrared detectors

著者 (7件)： Liu Jinghe (Department of ECE, Stony Brook University, Stony Brook, New York 11794, USA) ,  Donetski Dmitri (Department of ECE, Stony Brook University, Stony Brook, New York 11794, USA) ,  Kucharczyk Kevin (Department of ECE, Stony Brook University, Stony Brook, New York 11794, USA) ,  Zhao Jingze (Department of ECE, Stony Brook University, Stony Brook, New York 11794, USA) ,  Kipshidze Gela (Department of ECE, Stony Brook University, Stony Brook, New York 11794, USA) ,  Belenky Gregory (Department of ECE, Stony Brook University, Stony Brook, New York 11794, USA) ,  Svensson Stefan P. (US Army Combat Capabilities Command, Army Research Laboratory, Adelphi, Maryland 20783, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 14  ページ： 141101-141101-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる周期の歪層超格子(SLS)吸収体を有する赤外検出器障壁ヘテロ構造を比較した。第1は,GaSb基板上に直接成長したInAs/InAsSb_0.36組成を有する10.9nmの周期を用いて,2μm厚さの非ドープ吸収体における10μmの波長に対応する低温エネルギーギャップを有する従来の障壁ヘテロ構造を用いた参照であった。対照的に,2番目の構造は,InAsSb_0.3/InAsSb_0.55組成,類似のエネルギーギャップ,および吸収体厚さを有する,かなり短い4.3nm周期吸収体を使用して,GaSb上に6.2Åの格子定数GaIn_0.3Sb仮想基板上に成長した。短時間SLSでは,80~150Kの温度範囲における垂直正孔移動度と少数キャリア寿命は,参照構造よりも2~3倍大きい因子であった。垂直正孔移動度の改善は,正孔非局在化の影響に起因した。後者は光吸収係数と量子効率の増加をもたらす。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  キャリア移動度 ,  キャリア寿命 ,  格子定数 ,  正孔 ,  *赤外検出器 ,  低温 ,  *波長 ,  *ヒ化インジウム ,  ドーピング ,  素子構造 ,  アンチモン化ガリウム ,  吸収体 ,  *量子効率 ,  *歪層超格子
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  正孔移動度 ,  少数キャリア寿命 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 量子効率 ,  長波長赤外 ,  検出器 ,  短周期 ,  InAsSb ,  歪層超格子