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J-GLOBAL ID：202202275411587786   整理番号：22A0974048

界面電子特性のゆらぎは電場下の摩擦同調を誘発する【JST・京大機械翻訳】

Fluctuation of Interfacial Electronic Properties Induces Friction Tuning under an Electric Field

著者 (11件)： Song Aisheng (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, People’s Republic of China) ,  Shi Ruoyu (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, People’s Republic of China) ,  Lu Hongliang (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, People’s Republic of China) ,  Lu Hongliang (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, People’s Republic of China) ,  Wang Xueyan (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, People’s Republic of China) ,  Wang Xueyan (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, People’s Republic of China) ,  Hu Yuanzhong (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, People’s Republic of China) ,  Gao Hong-Jun (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, People’s Republic of China) ,  Gao Hong-Jun (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, People’s Republic of China) ,  Luo Jianbin (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, People’s Republic of China) ,  Ma Tianbao (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, People’s Republic of China)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 22  号： 5  ページ： 1889-1896  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 摩擦の起源に関するヒステリシスは何世紀もの間残っている。特に,摩擦が電場によってどのように調整されるかはまだ不明である。現在の同調機構は主に原子配置と静電力に焦点を合わせているが,界面電子特性の役割は完全には理解されていない。ここでは,導電性原子間力顕微鏡実験における電流によって誘起されるユニークな摩擦同調効果を調べ,滑り中の電子特性の変動による摩擦の2つの主な同調機構を明らかにした。1)電場誘起電子密度再分布,2)電流誘起電子移動。電場/電流の下での摩擦同調と電子特性変動(EPF)の間の関係を明らかにする電子レベル摩擦モデルを提唱し,二次元材料界面を含む導体から半導体と絶縁体までのトライボシステムに適用できる。このモデルはトライボシステム設計と摩擦制御の理論的指針を提供し,摩擦の起源を理解する新しい展望を提案した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *電場 ,  *電子 ,  電子密度 ,  電流 ,  半導体 ,  *ゆらぎ ,  *同調 ,  計算 ,  電流発生 ,  導体 ,  電子移動 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 静電気力 ,  原子配置 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 摩擦調整 ,  電子レベルモデル ,  ab initio計算 ,  導電性原子間力顕微鏡法 ,  二次元材料

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 界面 ,  電子 ,  ゆらぎ ,  電場 ,  摩擦 ,  同調 ,  誘発