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J-GLOBAL ID：202202275577865510   整理番号：22A0430706

無鉛二重ペロブスカイトRb_2SeI_6およびK_2SeI_6の構造,電子および光学特性を研究するための第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

First-principles calculations to investigate the structural, electronic and optical properties of lead-free double perovskites Rb₂SeI₆ and K₂SeI₆

著者 (7件)： Hu De-Yuan (School of Physics, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Zhao Xian-Hao (School of Physics, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Tang Tian-Yu (School of Physics, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Lu Li-Min (School of Physics, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Li Li (School of Physics, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Gao Li-Ke (School of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Tang Yan-Lin (School of Physics, Guizhou University, Guiyang 550025, China)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 231  ページ： 236-242  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,第一原理計算に基づく鉛フリー二重ペロブスカイトRb_2SeI_6およびK_2SeI_6の構造,電子および光学特性を詳細に研究した。それらの負の結合エネルギー(E_b)と生成エネルギー(E_f)は,研究した材料の安定性を確実にする。著者らの計算はRb_2SeI_6とK_2SeI_6のバンドギャップ値がそれぞれ1.51eVと1.45eVであることを示した。これは,2つのペロブスカイト化合物が間接バンドギャップ半導体に属し,太陽電池の感光性材料に適していることを示す。Rb_2SeI_6とK_2SeI_6の両方に対して,価電子帯最大(VBM)はI-p軌道によって支配され,それらの伝導バンド最小(CBM)は主にI-p軌道とSe-p軌道からの寄与であった。結果は,Rb_2SeI_6とK_2SeI_6中の電子と正孔の有効質量は非常に小さく,従ってキャリア輸送にとって有利であることを示した。さらに,光学パラメータはRb_2SeI_6とK_2SeI_6が特に可視光領域で顕著な光吸収特性を有することを示した。適切なバンドギャップ値および優れた光吸収のため,Rb_2SeI_6およびK_2SeI_6は太陽電池の吸収層に大きな応用の可能性を有する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  *光学的性質 ,  正孔 ,  太陽電池 ,  半導体 ,  光吸収 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  有効質量 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 可視領域 ,  キャリア輸送 ,  *第一原理計算 ,  *ダブルペロブスカイト ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 構造安定性 ,  電子構造 ,  光学特性 ,  第一原理

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重ペロブスカイト ,  電子 ,  光学特性 ,  研究 ,  第一原理計算