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J-GLOBAL ID：202202275633295841   整理番号：22A0439072

RbCeX_2結晶(X=S,Se,Te):圧力誘起スピン選択的ギャップレス転移と応答特性【JST・京大機械翻訳】

RbCeX₂ Crystal (X = S, Se, Te): Pressure-Induced Spin-Selective Gapless Transition and Response Properties

著者 (11件)： Azzouz Lahcene (Institut National de Recherche en Education (INRE), BP 193, Z.I Oued Romane, El Achour, Alger 16000, Algerie) ,  Azzouz Lahcene (Department of Chemistry and Physics, Mount Saint Vincent University, Halifax, Nova Scotia, Canada B3M 2J6) ,  Halit Mohamed (Laboratoire des Materiaux pour Application et Valorisation des Energies Renouvelables (LAVER), Universite Amar Telidji, BP. 37 G, Laghouat 03000, Algeria) ,  Denawi Hassan (Universite de Pau et des Pays de l’Adour, E2S UPPA, CNRS, IPREM, Pau, France) ,  Charifi Zoulikha (Department of Physics, Faculty of Science, University of M’sila, 28000 M’sila, Algeria) ,  Charifi Zoulikha (Laboratoire Physique et Chimie des Materiaux, Universite de M’sila, 28000 M’sila, Algerie) ,  Baaziz Hakim (Department of Physics, Faculty of Science, University of M’sila, 28000 M’sila, Algeria) ,  Baaziz Hakim (Laboratoire Physique et Chimie des Materiaux, Universite de M’sila, 28000 M’sila, Algerie) ,  Rerat Michel (Universite de Pau et des Pays de l’Adour, E2S UPPA, CNRS, IPREM, Pau, France) ,  Matta Cherif F. (Department of Chemistry and Physics, Mount Saint Vincent University, Halifax, Nova Scotia, Canada B3M 2J6) ,  Matta Cherif F. (Department of Chemistry, Dalhousie University, Halifax, Nova Scotia, Canada B3H 4J3)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 898  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RbCeX_2(X=S,Se,Te)結晶の結晶構造,電子および磁気特性を,10GPaまでの静水圧下の周期的密度汎関数理論(DFT)計算を用いて調べた。強磁性相はすべての化合物と圧力に対して反強磁性のものよりわずかに安定である。X=Te化合物の場合のみ,磁性半導体(MS)からスピンギャップレス半導体(SGS)への圧力誘起転移が観測された。強制圧力がない場合,X=Teは0.46eVの直接αスピンギャップを示し,一方,そのβギャップは2.30eVであった。10GPaの圧力はRbCeTe_2のαスピンギャップを完全に抑制し,βギャップを1.63eVに減少させた。ただ一つのスピンギャップのこの圧力誘起除去はX=Te化合物に排他的である。この特性はTe化合物をその2つの同族体から区別する。RbCeTe_2の圧力応答特性は,この化合物を電位誘起MS→SGSスイッチング材料にする。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Curie温度 ,  Ramanスペクトル ,  強磁性 ,  結晶構造 ,  赤外線 ,  電位 ,  反強磁性 ,  半導体 ,  *応答特性 ,  磁気的性質 ,  *テルル ,  静水圧 ,  磁性半導体 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： スピンギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 磁性半導体 ,  スピンギャップレス半導体 ,  圧力下の結晶 ,  Curie温度 ,  赤外およびRamanスペクトル ,  周期的DFT計算

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 結晶 ,  Se ,  Te ,  誘起 ,  スピン ,  ギャップレス ,  応答特性