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J-GLOBAL ID：202202275776259245   整理番号：22A0983093

拡張近赤外光応答と増強光電流のための集積ペロブスカイト/有機バルクヘテロ接合における二重カスケード電荷移動【JST・京大機械翻訳】

Double Cascading Charge Transfer at Integrated Perovskite/Organic Bulk Heterojunctions for Extended Near-Infrared Photoresponse and Enhanced Photocurrent

著者 (17件)： Gao Yu (Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI), Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Gao Yu (Institute of Materials Research, Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Xu Wenzhan (Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI), Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Xu Wenzhan (Institute of Materials Research, Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Zhang Si-Wei (Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI), Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Zhang Si-Wei (Institute of Materials Research, Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Fan Tianjie (Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI), Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Fan Tianjie (Institute of Materials Research, Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Zhang Meng (Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI), Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Zhang Meng (Institute of Materials Research, Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Ran Aihua (Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI), Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Ran Aihua (Institute of Materials Research, Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Zhang Xuan (Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI), Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Kang Feiyu (Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI), Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Kang Feiyu (Institute of Materials Research, Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Wei Guodan (Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI), Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China) ,  Wei Guodan (Institute of Materials Research, Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518000, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 18  号： 12  ページ： e2106083  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日,全太陽スペクトルのほぼ48.7%の近赤外(NIR)照射(>800nm)は,最先端のペロブスカイト膜が,通常,最もUV-vis太陽光放射を吸収することができるので,完全には利用されていない。ここでは,高効率集積Cs_0.15FA_0.85PbI_3ペロブスカイト/有機バルク(PC_61BM:D18:Y6)ヘテロ接合太陽電池を,931nmまで低エネルギー光子収集と1.04Vの高い維持開回路電圧で,首尾よく得た。特に,好ましい二重カスケード電荷移動経路は,界面において同時にNIR光子吸収時の可視光励起と正孔で電子を空間的に分離する興味深い可能性を開き,非放射二分子再結合を著しく抑制し,27.48mAcm-2の高い光電流密度と20.31%の電力変換効率に達する。さらに,三元有機膜の強い疎水性は,周囲湿度浸透を効果的に防止し,連続エージング試験(湿度>60%)におけるペロブスカイトの安定性を,対照デバイスと比較して改善した。本研究は,全スペクトル応答を有する次世代高効率太陽電池のためのNIR光収穫を改善するために,かなり新しい窓を開いた。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *光電流 ,  再結合 ,  浸透 ,  正孔 ,  太陽 ,  太陽電池 ,  *電荷移動 ,  励起 ,  湿度 ,  疎水性 ,  スペクトル ,  可視光
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電荷移動 ,  近赤外(NIR) ,  有機バルクヘテロ接合 ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  安定性

分類 (2件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： 拡張 ,  近赤外光 ,  応答 ,  増強 ,  光電流 ,  集積 ,  ペロブスカイト ,  バルクヘテロ接合 ,  カスケード ,  電荷移動