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J-GLOBAL ID：202202276337775918   整理番号：22A1094829

MOCVDにより4H-SiC上に成長させたε-Ga_2O_3の成長と結晶相転移【JST・京大機械翻訳】

Growth and crystal phase transformation of ε-Ga₂O₃ grown on 4H-SiC by MOCVD

著者 (5件)： Kim Soyoon (Department of Electronic Material Engineering, Korea Maritime and Ocean University, Busan, 49112, South Korea) ,  Lee Jungbok (Department of Electronic Material Engineering, Korea Maritime and Ocean University, Busan, 49112, South Korea) ,  Ahn Hyungsoo (Department of Electronic Material Engineering, Korea Maritime and Ocean University, Busan, 49112, South Korea) ,  Kim Kyounghwa (Department of Electronic Material Engineering, Korea Maritime and Ocean University, Busan, 49112, South Korea) ,  Yang Min (Department of Electronic Material Engineering, Korea Maritime and Ocean University, Busan, 49112, South Korea)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 144  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga_2O_3薄膜を,種々の成長条件下で有機金属化学蒸着(MOCVD)により4H-SiC基板上にヘテロエピタキシャル成長させた。4H-SiC基板のC面とSi面上に成長したε-Ga_2O_3薄膜の成長過程と結晶品質を比較した。Si面基板上に成長したε-Ga_2O_3膜は,C面上での成長の場合と比較して,結晶品質の改善において優れた性能を示した。200sccmのH_2O流量で665°Cで成長させたε-Ga_2O_3薄膜を,β-Ga_2O_3薄膜への結晶相変換のために酸素雰囲気中で900°Cで10分間熱処理した。変態β-Ga_2O_3薄膜のRMS粗さは9.023nmであり,一方,直接成長したRMS値は129.1nmであった。ε-Ga_2O_3薄膜の推定スクリューとエッジ転位密度は,それぞれ1.41×1013cm-2と4.92×1012cm-2であった。ε-Ga_2O_3からβ-Ga_2O_3への結晶相の変態は,SiC基板上のGa_2O_3のヘテロエピタキシャル成長における効果的な方法と考えられる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  結晶構造 ,  *相転移 ,  熱処理 ,  薄膜 ,  品質 ,  流量 ,  *ケイ素 ,  酸化物 ,  刃状転位 ,  有機金属化合物 ,  *MOCVD
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  *4H-SiC ,  酸素雰囲気 ,  *結晶相 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 結晶構造 ,  パワーデバイス ,  有機金属化学気相成長 ,  酸化物 ,  半導体ガリウム化合物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOCVD ,  4H-SiC ,  成長 ,  結晶相