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J-GLOBAL ID：202202276429188227   整理番号：22A0976810

Boltzmann輸送理論からの2D半導体における電子緩和時間の温度依存性を計算するための直接アプローチ【JST・京大機械翻訳】

A direct approach to calculate the temperature dependence of the electronic relaxation time in 2D semiconductors from Boltzmann transport theory

著者 (4件)： Tromer Raphael M. (Departamento de Fisica, Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Natal, RN 59078-970, Brazil) ,  Pereira Luiz Felipe C. (Departamento de Fisica, Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Natal, RN 59078-970, Brazil) ,  Ferreira M. S. (School of Physics, Trinity College Dublin, Dublin 2, Ireland) ,  da Luz M. G. E. (Departamento de Fisica, Universidade Federeal do Parana, Curitiba, PR 81531-980, Brazil)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 11  ページ： 115704-115704-9  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D半導体におけるキャリアの温度に対する緩和時間と電気伝導率依存性を得るための簡単な発見的方法を考案した。この手法は計算的に簡単である。それは,BoltzTraPアルゴリズム(Boltzmann輸送方程式から),直接フィッティング手順,および基準温度での適切なスケーリングに依存する。この手法は,材料の熱電性の重要なキャラクタリゼーションであるZTの性能指数に対する良好な推定を提供する。熱電応用のための有望な2Dシステム,すなわち,窒素化正孔グラフェン(NHG),ホウ素ドープNHG,および二硫化タングステン2D-WS_2を分析するために,著者らのアプローチを採用した。これらのすべての場合において,計算結果は計算時間の分率で文献で利用可能な計算的に高価な計算と一致した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アルゴリズム ,  *温度 ,  *緩和時間 ,  正孔 ,  電気伝導率 ,  *半導体 ,  *輸送理論 ,  ホウ素 ,  *温度依存性 ,  ドーピング ,  *二次元 ,  グラフェン
準シソーラス用語： 輸送方程式 ,  *電子緩和時間 ,  二硫化タングステン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 輸送理論 ,  2D ,  電子緩和時間 ,  温度依存性 ,  計算