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J-GLOBAL ID：202202276587557039   整理番号：22A0692195

[数式:原文を参照]表面上の単層スタネンのエピタキシャル結合および歪効果【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial binding and strain effects of monolayer stanene on the [Formula : see text] surface

著者 (2件)： Eltinge Stephen (Department of Physics, Yale University, New Haven, Connecticut 06511, USA) ,  Ismail-Beigi Sohrab (Department of Applied Physics and Department of Physics, Yale University, New Haven, Connecticut 06511, USA)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 6  号： 1  ページ： 014007  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スズの2次元(2D)単分子層形であるスタネンは,その大きなスピン-軌道相互作用による2Dトポロジー絶縁体であると予測された。しかしながら,スタネンのトポロジー的非自明な性質の明確な実験的実証は,部分的には,スタネンがトポロジー的に自明でないままである基板を選択する困難さのため,観察をdedげる。本論文では,アルミナ,[数式:原文を参照]の(0001)表面上に成長したエピタキシャル単分子層スタネンの第一原理密度汎関数理論計算と,歪下の自立修飾スタネンを示した。単分子層スタネンがアルミナに結合する方法のエネルギー論と性質を記述することにより,単分子層がコヒーレントに歪み,エピタキシャルに基板に対して強いエネルギー駆動を示した。歪んだスタネンの電子構造を解析することによって,[数式:原文を参照]上の量子スピンHall絶縁体であることを見出した。また,機械的剥離の可能性を含めて,結合スタネン単分子層に及ぼすin situフッ素修飾の影響についても述べた。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  *エピタクシー ,  コヒーレンス ,  スピン-軌道相互作用 ,  電子構造 ,  スズ ,  アルミナ ,  単分子層 ,  二次元 ,  *効果 ,  第一原理 ,  *ナノシート ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *歪効果 ,  密度汎関数計算 ,  量子スピンHall絶縁体 ,  *スタネン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 数式 ,  参照 ,  単層 ,  スタネン ,  エピタキシャル ,  歪効果