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J-GLOBAL ID：202202276691000156   整理番号：22A0737399

複合GaInAsBi量子井戸における光学遷移エネルギーの低減【JST・京大機械翻訳】

Reduction of optical transition energy in composite GaInAsBi quantum wells

著者 (6件)： Pacebutas Vaidas (Center for Physical Sciences and Technology, Sauletekio 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Karpus Vytautas (Center for Physical Sciences and Technology, Sauletekio 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Geizutis Andrejus (Center for Physical Sciences and Technology, Sauletekio 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Kamarauskas Mindaugas (Center for Physical Sciences and Technology, Sauletekio 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Selskis Algirdas (Center for Physical Sciences and Technology, Sauletekio 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Krotkus Arunas (Center for Physical Sciences and Technology, Sauletekio 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 121  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlInAs障壁を有する四元GaInAsBiビスミド量子井戸の発光ダイオード構造を,分子線エピタキシーによりInP基板上に成長させた。GaInAsの中間的付加層を,電子サイズ量子化エネルギーを減らし,従って,光学遷移のエネルギーを低減するために,ビスミド量子井戸とAlInAs障壁の間に挿入した。付加的な中間GaInAs層を有する複合材料GaInAs_1-xBi_x(x0.06)量子井戸における発光波長の赤方偏移は,約0.4μmほど大きいことを理論的および実験的に示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  基板 ,  障壁 ,  赤方偏移 ,  *電子遷移 ,  発光 ,  複合材料 ,  波長 ,  リン化インジウム ,  量子サイズ効果 ,  MBE成長 ,  *量子井戸
準シソーラス用語： ヒ化インジウムアルミニウム ,  *光学遷移 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： GaInAsBiビスミド ,  MIR発光ダイオード ,  複合量子井戸

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子井戸 ,  光学遷移 ,  エネルギー