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J-GLOBAL ID：202202276700578158   整理番号：22A0883058

EDSトモグラフィーによる三次元元素分布解析

The Three Dimensional Elemental Analysis by Using EDS Tomography

著者 (1件)： 青山佳敬 (日本電子株式会社EM事業ユニットEMアプリケーショングループ)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 61  号： 2  ページ： 89-93(J-STAGE)  発行年： 2022年 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・最近の半導体の三次元微細構造解析には,計算機トモグラフィーとTEM/STEMを組み合わせた電子線トモグラフィー(ET)や,さらに,エネルギー分散X線分光分析(EDS)トモグラフィーが適用。
・EDSトモグラフィーは非破壊でナノスケールの三次元元素マップを取得できる有効な手法であり,本稿では,EDSトモグラフィーの概要,取得方法,適用例(半導体トライゲートFinFET),課題について概説。
・近年,シリコンドリフト検出器(SDD)が開発され信号処理速度が大幅に向上し,さらに複数のEDS検出器の導入が可能になったことからEDSマップの高速取得を達成。

シソーラス用語： *エネルギー分散X線分光分析 ,  *トモグラフィー ,  構造 ,  分布 ,  トランジスタ ,  半導体材料 ,  非破壊検査 ,  Si半導体検出器 ,  信号処理 ,  レジストレーション【画像】
準シソーラス用語： EDS【分光分析】 ,  EDSトモグラフィー ,  *元素分布 ,  三次元構造 ,  三次元分布 ,  トライゲート ,  シリコンドリフト検出器 ,  ミッシングウェッジ ,  位置合せ

著者キーワード (2件)： electron tomography ,  EDS(energy dispersive X-ray spectroscopy)

分類 (1件)： 分光分析  (CC03012W)

引用文献 (16件)：

• (1) D. Hisamoto, W. C. Lee, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, K. Asano, T. J. King, J. Bokor and C. Hu: IEDM Tech. Dig., (1998), 1032-1034.
• (2) H. Tanaka, M. Kido, K. Yahashi, M. Oomura, R. Katsumata, M. Kito, Y. Fukuzumi, M. Sato, Y. Nagata and Y. Matsuoka: Proceedings of the Symposium on VLSI Technology, (2007), 12-14.
• (3) A. M. Cormack: J. Appl. Phys., 35(1964), 2908-2913.
• (4) M. Hayashida, L. Gunawan, M. Malac, C. Pawlowicz and M. Couillard: Microsc. Microanal., 21(2015), 1609-1610.
• (5) B. Fu, M. Gribelyuk, L. Dumas, C. Fang, N. LaManque, L. Hodgkins and E. Chen: Microsc. Microanal., 22(2016), 326-327.

タイトルに関連する用語 (4件)： EDS ,  トモグラフィー ,  元素分布 ,  解析