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J-GLOBAL ID：202202276833228856   整理番号：22A0891832

SERSとメモリデバイスへの応用のためのHfO_2の相を変えることなくAuナノ粒子を作製するためのAu/HfO_2二層のレーザアニーリング【JST・京大機械翻訳】

Laser annealing of Au/HfO₂ bi-layers to fabricate Au nanoparticles without altering the phase of HfO₂ for applications in SERS and memory devices

著者 (7件)： Kumar K. Vinod (School of Physics, University of Hyderabad, Hyderabad, India) ,  Goud J. Pundareekam (School of Physics, University of Hyderabad, Hyderabad, India) ,  Kumar Kanaka Ravi (School of Physics, University of Hyderabad, Hyderabad, India) ,  Raju K. C. James (School of Physics, University of Hyderabad, Hyderabad, India) ,  Raju K. C. James (Centre for Advanced Studies in Electronics Science and Technology (CASEST), School of Physics, University of Hyderabad, Hyderabad, India) ,  Rao S. V. S. Nageswara (School of Physics, University of Hyderabad, Hyderabad, India) ,  Rao S. V. S. Nageswara (Centre for Advanced Studies in Electronics Science and Technology (CASEST), School of Physics, University of Hyderabad, Hyderabad, India)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 9  ページ： 6657-6669  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2の相を変えずに酸化ハフニウム薄膜の表面上に金ナノ粒子の高密度アレイを作製する非熱的レーザアニーリング技術を報告する。非晶質HfO_2(λ≧10nm)上に蒸着したAu(λ>5nm)膜を,Auナノ粒子を生成するために,エキシマレーザ(248nm)を用いてレーザアニーリングした。通常の熱的方法がHfO_2の相を変えることは注目に値する。レーザパルスの数が増加するにつれて,球状Auナノ粒子のサイズが減少し,それらの表面密度が増加することが分かった。これらのAuナノ粒子は標準R6G色素のRamanシグネチャの顕著な増強を誘起した。さらに,金属-オキシド-半導体キャパシタを,HfO_2の別の層を堆積し,続いてこれらのナノ粒子の表面上に金属接触して作製した。漏れ電流-電圧特性を調べることにより,Poole-FrenkelおよびFowler-Nordheimトンネリング機構を用いて,埋込みナノ粒子の有無によるゲート酸化物による漏れ電流伝導を研究した。PFトンネリングは,Auナノ粒子によるこれらのMOS構造で顕著であり,これは埋め込まれたAuナノ粒子による電荷捕獲の可能性がある。容量-電圧(C-V)特性はヒステリシスループの著しい広がりを示し,これらのMOSキャパシタの貯蔵容量の改善を示している。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  コンデンサ ,  電圧 ,  トンネル効果 ,  薄膜 ,  半導体 ,  色素 ,  非晶質 ,  漏れ電流 ,  酸化ハフニウム ,  *レーザアニーリング ,  *ナノ粒子
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  電荷捕獲 ,  *金ナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： メモリデバイス ,  応用 ,  相 ,  Auナノ粒子 ,  作製 ,  Au ,  レーザアニーリング