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J-GLOBAL ID：202202276990521974   整理番号：22A0300985

ターボストラチック構造と酸素ドーピングによる窒化ホウ素ナノシートの光電および磁気特性【JST・京大機械翻訳】

Photoelectric and magnetic properties of boron nitride nanosheets with turbostratic structure and oxygen doping

著者 (14件)： Cao Chaochao (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Cao Chaochao (Hebei Key Laboratory of Boron Nitride Micro and Nano Materials, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Yang Jingwen (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Yang Jingwen (Hebei Key Laboratory of Boron Nitride Micro and Nano Materials, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Yan Song (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Yan Song (Hebei Key Laboratory of Boron Nitride Micro and Nano Materials, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Bai Wenjuan (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Bai Wenjuan (Hebei Key Laboratory of Boron Nitride Micro and Nano Materials, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Ma Yuanhui (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Ma Yuanhui (Hebei Key Laboratory of Boron Nitride Micro and Nano Materials, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Xue Yanming (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Xue Yanming (Hebei Key Laboratory of Boron Nitride Micro and Nano Materials, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Tang Chengchun (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China) ,  Tang Chengchun (Hebei Key Laboratory of Boron Nitride Micro and Nano Materials, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, People’s Republic of China)
資料名： 2D Materials  (2D Materials)
巻： 9  号： 1  ページ： 015014 (6pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5550A  ISSN： 2053-1583  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メラミンシアヌレートとホウ酸の混合物を熱分解することにより,豊富な欠陥サイトを有する,ターボストラチックおよび酸素ドーピング(3.7原子%)六方晶窒化ホウ素ナノシート(TO-BNNS)を合成した。系統的分析は,TO-BNNSsにおける高度に無秩序な構造と共有結合酸素ドーピングを明らかにした。これらの特徴は,不対電子,局在化電荷非対称およびスピン分極を有する生成物を与える。バルクh-BNと比較して,TO-BNNSの光学バンドギャップは~5.7eVから~5.2まで低下し,誘電率は~2.1から~2.4に上昇し,飽和磁気モーメントは~0.011から~0.033emu/gに増加し,保磁力は~73.56から~367.39Oeに拡大した。これらの結果は,ターボストラチック構造とヘテロ原子ドーピングを有するh-BN材料が,ナノスケール光学,エレクトロニクスおよび磁気の分野で,広範な応用展望を有することを示唆する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 保磁力 ,  磁気モーメント ,  電荷 ,  誘電率 ,  *酸素 ,  スピン分極 ,  ホウ酸 ,  非対称性 ,  *磁気 ,  *ドーピング ,  電子技術 ,  *窒化ホウ素 ,  不対電子 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸素 ,  ドーピング ,  窒化ホウ素 ,  ナノシート ,  光電 ,  磁気特性