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J-GLOBAL ID:202202277026870367   整理番号:22A0082101

応力発生と発達の調整によるシリコン膜アノードのグラフェン緩和破壊と界面剥離【JST・京大機械翻訳】

Graphene mitigated fracture and interfacial delamination of silicon film anodes through modulating the stress generation and development
著者 (9件):
資料名:
巻: 33  号:ページ: 025402 (9pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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シリコン膜は,従来のシリコンアノードの大きな体積膨張を緩衝するのに有益である二次元(2D)形態により,リチウムイオン電池における魅力的なアノード候補である。なお,リチオ化/脱リチオ化プロセス中の応力の発生は,電流コレクタからシリコン膜の亀裂と剥離をもたらし,最終的に電極の速い破壊をもたらす。シリコン膜と集電器の間のグラフェン層の積層は,電池サイクル中に発生する応力を軽減するが,他の寸法を有する商用シリコン構造でのその普遍的な応用は技術的に困難である。2Dシリコン膜の上部にグラフェンを入れることは,より実行可能であり,また,強化されたサイクル安定性で示されているが,しかし,下の機械的機構は不明である。ここでは,モデル材料として2Dグラフェンと2Dシリコン膜の組合せを用いて,電池サイクリング中の応力発生と拡散モードを調べ,シリコンアノードの機械的および電気化学的最適化を実験的および理論的に明らかにした。その結果,シリコン膜と被覆グラフェン層の最適厚さが得られ,シリコン膜の面内亀裂と面外剥離が,通常の応力とせん断応力の遅い移動によりグラフェンを被覆することによって軽減できることを見出した。本研究は,グラフェン被覆電池材料の電気化学的に誘導した機械的挙動と安定な高エネルギー密度電池を開発するためのガイドラインの幾つかの理解を提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  トランジスタ 

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