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J-GLOBAL ID:202202277218466146   整理番号:22A0731084

p-Si基板上に化学浴堆積により作製したEuドープZnOマイクロポッドのキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Characterization of Eu doped ZnO micropods prepared by chemical bath deposition on p-Si substrate
著者 (12件):
資料名:
巻: 198  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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化学浴析出法を用いて,p型(100)シリコン上にEuドープZnOを合成した。SEM画像はマイクロポッド状ZnOの形成を示した。EDXとXPS測定はEu濃度が2.54%まで,Eu3+とEu2+が同時に存在することを示した。XRD分析は,格子間Eu3+イオンが4つの四面体結合を歪め,Eu2+イオンの置換がc格子定数を増加させることを確認した。Eu3+5D_0→7F_2遷移関連発光のみを観測したので,ZnOマトリックスからEuイオンへの弱い移動エネルギーが生じた。しかし,ホストマトリックス中の深い準位欠陥の発光とEu3+イオンの発光の間の競合は,可視発光を赤色に変形させる。Eu-ZnO/p-Siヘテロ接合のI-V測定は,低整流比のダイオード様挙動を示し,Eu濃度に影響されない約0.84eVの障壁高さを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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