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J-GLOBAL ID:202202277282211166   整理番号:22A0886227

新しい戦略:酸素発生反応のための高性能光アノードとしての3Dピラミッド型NiCo-LDH/ReS_2/n-PSiを実現するFermiレベル制御【JST・京大機械翻訳】

A new strategy: fermi level control to realize 3D pyramidal NiCo-LDH/ReS2/n-PSi as a high-performance photoanode for the oxygen evolution reaction
著者 (5件):
資料名:
巻: 10  号: 10  ページ: 3848-3855  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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平面p型ドーピングSi基板上へのReS_2ナノシート(NSs)の負荷は水素発生反応(HER)のための光電気化学(PEC)水分解においてよく働くことが証明された。高いPEC性能は,電荷分離促進のためのp-p接合と光吸収増強のための二次元(2D)光トラッピング効果に起因した。ここでは,n型ピラミッドパターンSi基板とp-ReS_2 NSからなる酸素発生反応(OER)のための新しい光アノードを報告する。平面ReS_2/p-Siと比較して,ReS_2/n-PSiのp-n接合は,より上方のバンド曲がりによりはるかに高い光電流を達成することができ,一方,より多くの光吸収は3D反射防止構造から来る。表面近傍の下方バンド曲げを避け,電荷輸送を増強することにより,地球に豊富な共触媒NiCo層状二重水酸化物(NiCo-LDH)を最終的に堆積し,NiCo-LDH/ReS_2/n-PSi光アノードの光電流を競合mA cm-2範囲(1.74mAcm-2)に増加させた。NiCo-LDH被覆層は保護層として作用することにより光アノードの安定性も改善できる。このように,ReS_2/Siは,Fermi準位制御によるOERの高性能光アノードとして,また,二重光電極システムにおける異なる表面材料の仕事関数に起因するエネルギー障壁を扱うためのスプリット-新しい解決策として,新しい概念である。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  光化学一般 

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