文献

J-GLOBAL ID：202202277282691620   整理番号：22A0001100

Li(Y/Lu)SiO_4:Ce3+,Sm3+貯蔵蛍光体の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of the Li(Y/Lu)SiO₄:Ce³⁺,Sm³⁺ storage phosphor

著者 (6件)： Zhou Shihang (CAS Key Laboratory of Strongly-Coupled Quantum Matter Physics, School of Physical Sciences, University of Science and Technology of China, Hefei, 230026, China) ,  Zhou Shihang (School of Physics and Electronic Engineering, Xinjiang Normal University, Urumqi, 830054, China) ,  Lou Bibo (CAS Key Laboratory of Strongly-Coupled Quantum Matter Physics, School of Physical Sciences, University of Science and Technology of China, Hefei, 230026, China) ,  Lou Bibo (School of Optoelectronic Engineering & CQUPT-BUL Innovation Institute, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing, 400065, China) ,  Ma Chong-Geng (School of Optoelectronic Engineering & CQUPT-BUL Innovation Institute, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing, 400065, China) ,  Min Yin (CAS Key Laboratory of Strongly-Coupled Quantum Matter Physics, School of Physical Sciences, University of Science and Technology of China, Hefei, 230026, China)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 241  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算を行い,Li(Y/Lu)SiO_4中の自然点欠陥とドーパント(Ce3+,Sm3+)を研究し,光励起エネルギー貯蔵特性の機構を明らかにした。計算した励起および発光エネルギー,Stokesシフトならびにホストバンドエッジに対するCe3+の4fおよび5d準位の位置は,実験結果と非常に一致した。計算した生成エネルギーは,Li空孔(V_Li)とアンチサイト欠陥Li_YとY_Li(またはLi_LuとLu_Li)が,還元雰囲気下でのLi(Y/Lu)SiO_4中のYまたはLu空孔(V_YまたはV_Lu)とO空格子点(V_O)よりも常にエネルギー的に有利であることを明らかにした。さらに,元の点欠陥とドーパントの計算された電荷遷移レベルに従って,アンチサイト欠陥Y_Li(またはLu_Li)とドーパントSm3+(Sm_YまたはSm_Lu)は,Li(Y/Lu)SiO_4における情報蓄積のための適切な電荷遷移レベルを提供する電子トラップとして考えられている。著者らの計算に基づいて,照射および熱または光読み出し中の電荷キャリア貯蔵および再結合の機構図を,貯蔵蛍光体Li(Y/Lu)SiO_4:Ce3+,Sm3+に対して構築した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *蛍光体 ,  再結合 ,  電荷 ,  点欠陥 ,  発光 ,  光ポンピング ,  情報蓄積 ,  ドーパント ,  Stokesシフト
準シソーラス用語： アンチサイト欠陥 ,  第一原理計算 ,  電荷キャリア ,  形成エネルギー ,  還元雰囲気 ,  バンド端 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 第一原理 ,  ストレージ蛍光体 ,  Ce3+ ,  点欠陥

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (7件)： Li ,  Lu ,  Ce3+ ,  貯蔵 ,  蛍光体 ,  第一原理 ,  研究