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J-GLOBAL ID：202202277331088215   整理番号：22A0983343

アップライト変成4接合(UMM4J)太陽電池のElectron照射効果と欠陥解析【JST・京大機械翻訳】

Electron Irradiation Effects and Defects Analysis of the Upright Metamorphic Four-Junction (UMM4J) Solar Cells

著者 (11件)： Zhang Yanqing (Space Environment Simulation and Research Infrastructure, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Zhou Jiaming (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Liu Chaoming (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Qi Chunhua (Space Environment Simulation and Research Infrastructure, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Qi Chunhua (Microelectronics Center, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Wang Tianqi (Space Environment Simulation and Research Infrastructure, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Wang Tianqi (Microelectronics Center, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Ma Guoliang (Space Environment Simulation and Research Infrastructure, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Zhou Bin (Space Environment Simulation and Research Infrastructure, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Xiao Liyi (Microelectronics Center, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Huo Mingxue (Space Environment Simulation and Research Infrastructure, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 219  号： 6  ページ： e2100704  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,1MeV電子照射をAlGaInP(1.89eV)/AlInGaAs(1.45eV)/InGaAs(1.14eV)/Ge(0.67eV)直立変成4接合(UMM4J)太陽電池とその上部3つの重要なサブセルに対して行った。光IV(LIV),外部量子効率(EQE),および深準位過渡分光法(DLTS)測定を実行して,UMM4J太陽電池の電気的性質と欠陥の進展を分析した。LIVの結果は,短絡回路電流(I_sc),開回路電圧(V_oc),および最大電力(P_max)が電子フルエンスの対数変化の関数として劣化することを示した。EQE曲線はAlGaInP(1.89eV)サブセルの優れた抗照射特性を確認した。三つのタイプの電子トラップE_1(E_c-0.16eV),E_2(E_c-0.47eV)およびE_3(E_c-0.55eV)をAlGaInPサブセル中で検出した。2種類の正孔トラップH_1(E_v+0.35eV)とH_2(E_v+0.70eV)をAlInGaAsサブセルで発見し,2種類の正孔トラップH_3(E_v+0.05eV)とH_4(E_v+0.36eV)をInGaAsサブセルで観測した。1MeV電子のイオン化エネルギー損失(NIEL)を,Screened Relativist法により計算した。欠陥濃度は変位線量とほぼ線形関係を示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン化ポテンシャル ,  *太陽電池 ,  電子 ,  電子照射 ,  *変成作用 ,  電気的性質 ,  短絡電流 ,  放射線量 ,  対数 ,  深準位過渡分光法 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  フルエンス
準シソーラス用語： 正孔トラップ ,  開回路電圧 ,  外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 欠陥解析 ,  電子照射 ,  照射欠陥 ,  UMM4J太陽電池

分類 (4件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  非晶質の電子構造一般  (BM02041I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ライト ,  変成 ,  太陽電池 ,  照射効果 ,  欠陥解析