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J-GLOBAL ID：202202277343996908   整理番号：22A0433476

GaNの表面電場に及ぼす光起電力効果の影響【JST・京大機械翻訳】

The influence of the photovoltaic effect on the surface electric field in GaN

著者 (3件)： Zdanowicz Ewelina (Department of Semiconductor Materials Engineering, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Herman Artur P. (Department of Semiconductor Materials Engineering, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Kudrawiec Robert (Department of Semiconductor Materials Engineering, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 577  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面ポテンシャル障壁は半導体デバイスの設計と開発,特にヘテロ構造に基づく重要な問題である。この技法が表面電場の研究を可能にするので,それを電気変調(EM)分光法で調べることができる。しかし,後者は光起電力(PV)効果によって著しく変化した。本論文では,無接触電気反射(CER)を用いて確立された表面電場に及ぼすPV効果の影響の包括的な研究および暗および明るい実験配置における光反射率を示した。検討中の材料は,上方および下方のバンド曲げを有するいわゆる「van Hoof’GaN構造である。この種のサンプルアーキテクチャは,測定したスペクトルで観察されるFranz-Keldysh振動の調査を通して,ビルトイン電場のプロービングを可能にする。明るい配置で得られた結果は,暗構成よりもPV効果に影響されやすいが,暗配置の場合でさえ,この効果は無視できないことを示した。さらに,PV効果の低減により,CERはPR実験よりも表面電場のより正確な研究を可能にすることを強調した。本論文では,異なる照明パワー密度で得られた表面電場の相対的変化を決定し,議論した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光起電力 ,  *電場 ,  半導体素子 ,  スペクトル ,  ポテンシャル障壁 ,  *窒化ガリウム ,  *光起電力効果 ,  計算機アーキテクチャ
準シソーラス用語： 内部電場 ,  電力密度 ,  ヘテロ構造 ,  光反射率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 光起電力効果 ,  非接触エレクトロリフレクタンス ,  フォトリフレクタンス ,  Franz-Keldysh振動 ,  Fermi準位ピン止め

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  電場 ,  光起電力効果