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J-GLOBAL ID:202202277541865684   整理番号:22A0972965

局所電場により誘起されたポリジメチルシロキサンにおける分子スケール空洞からナノスケール誘電破壊まで【JST・京大機械翻訳】

From Molecular-Scale Cavities to Nanoscale Dielectric Breakdown in Polydimethylsiloxane Induced by Local Electric Field
著者 (10件):
資料名:
巻: 55  号:ページ: 1690-1699  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0952A  ISSN: 0024-9297  CODEN: MAMOBX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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誘電体エラストマ材料の電気機械的不安定性の起源はこれまで十分に理解されておらず,それらの広範な応用を妨げてきた。ここでは,単位原子分子動力学シミュレーションと組み合わせた局所電場モデルを用いて,ポリジメチルシロキサン(PDMS)における分子スケール空洞の形成からナノスケール絶縁破壊への不安定性機構を解釈することを試みた。与えられた外部電場の下で,PDMS膜は空洞の核形成,空洞の分裂と再構成,安定なチャネルの形成,および最終的に破壊を受ける。局所Voronoi体積,局所弾性率,双極子配向,および鎖末端効果の進展に従って,不安定性遷移は,ボイド胚から準安定空洞への発達および最終的に安定なチャネルへの発達を含む通常の相転移と類似していることを見出した。さらに,より高い電場は臨界核形成体積を減少させ,核形成を促進し破壊を加速する。しかし,プレストレッチングは核形成を困難にし,誘電安定性を改善する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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高分子の立体構造  ,  高分子固体の構造と形態学 

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