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J-GLOBAL ID：202202277588670556   整理番号：22A1100887

容量結合効果を用いた空乏モードインジウム-ガリウム-亜鉛オキシド薄膜トランジスタに基づくゲート駆動回路【JST・京大機械翻訳】

Gate Driver Circuit Based on Depletion-Mode Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors Using Capacitive Coupling Effect

著者 (8件)： Lee Jungwoo (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea) ,  Hong Yong-Hoo (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea) ,  Jung Eun Kyo (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea) ,  Hong Sara (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea) ,  Jeon Jae-Hong (School of Electronics and Information Engineering, Korea Aerospace University, Goyang, South Korea) ,  Park Keechan (Department of Electronics Engineering, Konkuk University, Seoul, South Korea) ,  Im Hwarim (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea) ,  Kim Yong-Sang (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 4  ページ： 1864-1869  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,非晶質酸化インジウムスズ(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFTs)に基づく高信頼ゲートドライバ回路を提案した。提案した回路は,TFT構造の代わりに容量結合効果を用いて,低電圧レベルで出力TFTsの制御ノード(Qノード)を維持するために追加のブーストダウン構造を採用した。その結果,提案した回路は,-3Vの閾値電圧(V_TH)を有する空乏モードTFTsに対して安定な動作を示した。ブーストダウン構造は,連続劣化TFTsを除去することによりQノードから低レベル電圧ノードへの電流フローを低減するので,動作信頼性を改善した。Qノードに接続したTFTs上のドレインインピーダンス源電圧(V_DS)応力は,ブートストラップ中のQノードからこれらのTFTを分離することにより減少した。Qノードブートストラップ中のV_DS値は44.3から27.3Vに減少した。プルダウンTFTを,バイアス応力に対する信頼性を確保するために,50%のデューティ比で動作するように設計した。出力ノードは,残りの50%の間,次の段階でQノード放電TFTによって排出された。従って,出力ノードは100%の全デューティ比で放電された。提案した回路は,V_THが-3から9Vに変化するシフトレジスタとして安定して動作した。その結果,容量結合効果を用いて,提案した回路は,空乏モードおよび増強モードa-IGZO TFTsによる信頼性のある動作を示した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電流 ,  ブートストラップ ,  放電 ,  信頼性 ,  *酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  シフトレジスタ ,  非晶質 ,  *ゲート回路 ,  酸化インジウムスズ
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  *容量結合 ,  デューティサイクル ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 容量結合 ,  空乏モード ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  オキシド ,  薄膜トランジスタ ,  ゲート駆動回路