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J-GLOBAL ID：202202277621959690   整理番号：22A1153998

CMOS互換AlドープZnOゾル-ゲル薄膜特性【JST・京大機械翻訳】

CMOS Compatible Al-Doped ZnO Sol-Gel Thin-Film Properties

著者 (11件)： Moussa Nizar Ben (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS UMR 9001, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 91120, Palaiseau, France) ,  Moussa Nizar Ben (Laboratory of Nanomaterials and Systems for Renewable Energies LaNSER, Research and Technologies Centre of Energy, Faculty of Sciences of Tunis, University of Tunis El Manar, Technopark Borj Cedria, BP 095, Hammam Lif, Tunisia) ,  Lajnef Mohamed (Laboratory of Nanomaterials and Systems for Renewable Energies LaNSER, Research and Technologies Centre of Energy, Faculty of Sciences of Tunis, University of Tunis El Manar, Technopark Borj Cedria, BP 095, Hammam Lif, Tunisia) ,  Jebari Nessrine (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS UMR 9001, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 91120, Palaiseau, France) ,  Mahut Frederic (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS UMR 9001, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 91120, Palaiseau, France) ,  Villebasse Cedric (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS UMR 9001, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 91120, Palaiseau, France) ,  Lafosse Xavier (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS UMR 9001, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 91120, Palaiseau, France) ,  David Christophe (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS UMR 9001, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 91120, Palaiseau, France) ,  Chaste Julien (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS UMR 9001, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 91120, Palaiseau, France) ,  Chtourou Radhouane (Laboratory of Nanomaterials and Systems for Renewable Energies LaNSER, Research and Technologies Centre of Energy, Faculty of Sciences of Tunis, University of Tunis El Manar, Technopark Borj Cedria, BP 095, Hammam Lif, Tunisia) ,  Herth Etienne (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS UMR 9001, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 91120, Palaiseau, France)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 219  号： 7  ページ： e2100480  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)は,大きな励起子結合エネルギー(≒60meV),広い直接バンドギャップ(3.37eV)を有するn型無機半導体の低コストクラスであり,工業および深技術応用の様々な分野に対して最も重要な材料である。ここでは,ゾル-ゲル法に基づく相補的金属-オキシド-半導体(CMOS)温度適合性(400°C)統合回路(IC)プロセスについて述べた。アルミニウム(Al)ドープZnO(AZO)薄膜の特性を調べた。Al含有量,Al/(Al+Zn)比は0から10%まで変化し,-4から-1.8GPaまでの圧縮応力を示した。低いドーパント濃度では,Al含有量は電気ドーパントとして作用し,一方,より高いドーパント濃度では,不純物として作用する。3×10-3Ωcmだけの電気抵抗率は薄膜の配向と逆相関し,(002)方向に沿って優先的に変化した。AZO薄膜の光学バンドギャップエネルギーは3.34~3.87eVの範囲であった。ここでは,ドープしたAZO薄膜のAl含有量を変化させる新しい方法を,次世代のフレキシブル,マイクロシステムおよび光電子デバイスに適した特性を改善するために記述した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  不純物 ,  励起子 ,  酸化物 ,  *ゲル ,  酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  圧縮応力 ,  ドーパント ,  *ゾル-ゲル法 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CMOS互換 ,  ゾル-ゲル ,  構造特性 ,  TCO ,  酸化亜鉛

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  AlドープZnO ,  ゾル-ゲル ,  膜特性