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J-GLOBAL ID:202202277670637427   整理番号:22A0922928

有望な水素貯蔵のためのY修飾MoS_2単分子層:DFT研究【JST・京大機械翻訳】

Y-decorated MoS2 monolayer for promising hydrogen storage: A DFT study
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巻: 47  号: 24  ページ: 12096-12106  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0192B  ISSN: 0360-3199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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構築したY修飾MoS_2の水素貯蔵性能を第一原理密度汎関数理論(DFT)計算により調べた。Yは-4.82eVの吸着エネルギーでMoS_2単分子層上に安定に修飾され,その絶対値はバルクYの凝集エネルギーより高かった。導入したH_2はY修飾MoS_2と強く相互作用し,伸長結合長と妥当な吸着エネルギーはそれぞれ0.792Åと-0.904eVであった。最大吸着に4つのH_2があり,平均吸着エネルギーが-0.387eVであるY修飾MoS_2に貯蔵された。さらに,各側に完全なY被覆率を有するMoS_2の水素重量容量を4.56wt%に改善でき,平均吸着エネルギーは-0.295eVであった。本研究は,Yで修飾したMoS_2が,有望な重量密度でH_2を効果的に貯蔵する可能性のある材料であることを明らかにした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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気体燃料の輸送,供給,貯蔵 
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