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J-GLOBAL ID：202202277703825955   整理番号：22A1035246

バルクシリコンおよびナノワイヤにおける熱伝導率の分子動力学シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Molecular Dynamics Simulation of Thermal Conductivity in Bulk Silicon and Nanowires

著者 (2件)： Volz Sebastian G. (University of California) ,  Chen Gang (University of California)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： IMECE98  ページ： 199-208  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ製造技術の進歩により,ナノワイヤは基礎研究と実用化の両方のために製造される。これらのナノデバイスにおける熱伝導機構を理解することは,エレクトロニクスや熱電などの多くの技術的分野にとって重要である。本研究では,分子動力学(MD)シミュレーションとStillinger-Weberポテンシャルに基づくシリコン単結晶とシリコンナノワイヤの熱伝導率を調べた。シミュレートした結晶サイズはフォノン平均自由行程よりはるかに小さく,バルクフォノン波長の範囲より短いが,スペクトル解析と共に周期的境界条件がバルクシリコン中の熱伝導率の妥当な値を導くことを示した。剛性境界を有する2.14nm×2.14nm正方形断面ナノワイヤのシミュレートした熱伝導率は,500KelvinでバルクSiより40倍小さいことが分かった。MDシミュレーションに加えて,BTEは,表面でのフォノンのさまざまな鏡面/拡散散乱速度を考慮することにより緩和時間近似の下で解いた。両方法で得られたナノワイヤ熱伝導率の比較を通して,表面散乱特性を定量化し,観察された不一致の説明を与えた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  *熱伝導率 ,  *熱伝導 ,  フォノン ,  *計算機シミュレーション ,  ケイ素 ,  剛性 ,  平均自由行程 ,  近似法 ,  電子技術 ,  *分子動力学 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 単結晶シリコン ,  ナノデバイス ,  *分子動力学シミュレーション ,  シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (4件)： バルクシリコン ,  ナノワイヤ ,  熱伝導率 ,  分子動力学シミュレーション