文献

J-GLOBAL ID：202202277824031459   整理番号：22A0388698

化学ポテンシャル制御による平滑N極性GaNにおける系統的酸素不純物還元【JST・京大機械翻訳】

Systematic oxygen impurity reduction in smooth N-polar GaN by chemical potential control

著者 (9件)： Szymanski Dennis (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695, United States of America) ,  Wang Ke (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695, United States of America) ,  Kaess Felix (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695, United States of America) ,  Kirste Ronny (Adroit Materials, Inc., Apex, NC 27539, United States of America) ,  Mita Seiji (Adroit Materials, Inc., Apex, NC 27539, United States of America) ,  Reddy Pramod (Adroit Materials, Inc., Apex, NC 27539, United States of America) ,  Sitar Zlatko (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695, United States of America) ,  Sitar Zlatko (Adroit Materials, Inc., Apex, NC 27539, United States of America) ,  Collazo Ramon (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695, United States of America)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 37  号： 1  ページ： 015005 (5pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属有機化学蒸着(MOCVD)によりサファイア基板上に成長したN極性GaN層の酸素濃度を制御するためにプロセス化学ポテンシャル制御と転位低減を行った。プロセス過飽和は~30から3400へ変化したので,酸素点欠陥の生成エネルギーは増加し,酸素取込みの25倍の減少をもたらした。約4倍(~109cm-3)の転位低減は,低-1017cm-3範囲への酸素取込みのさらなる減少を可能にした。低酸素含有量の平滑N極性GaN層を2段階プロセスにより達成し,一方,高酸素濃度の1μm厚さの滑らかなN極性層を成長させ,続いて高過飽和で成長させた低酸素濃度層が続いた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *化学ポテンシャル ,  過飽和 ,  極性 ,  点欠陥 ,  *不純物 ,  *酸素 ,  酸素過多 ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD
準シソーラス用語： 酸素濃度 ,  サファイア基板 ,  形成エネルギー ,  酸素含有量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学ポテンシャル ,  極性 ,  GaN ,  系統 ,  酸素 ,  不純物 ,  還元