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J-GLOBAL ID：202202277828886412   整理番号：22A0442511

VI_3単分子層の電子および磁気特性の有効な変調:第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

Effective modulating the electronic and magnetic properties of VI₃ monolayer: A first-principles calculation

著者 (6件)： Guo Hui-min (Key Laboratory of Magnetic Molecules, Magnetic Information Materials Ministry of Education, School of Chemical and Material Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, China) ,  Wang Xu-li (Key Laboratory of Magnetic Molecules, Magnetic Information Materials Ministry of Education, School of Chemical and Material Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, China) ,  Zhang Min (Key Laboratory of Magnetic Molecules, Magnetic Information Materials Ministry of Education, School of Chemical and Material Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, China) ,  Zhang Ye-hui (School of Physics, Southeast University, Nanjing 211189, China) ,  Lv Jin (Key Laboratory of Magnetic Molecules, Magnetic Information Materials Ministry of Education, School of Chemical and Material Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, China) ,  Wu Hai-shun (Key Laboratory of Magnetic Molecules, Magnetic Information Materials Ministry of Education, School of Chemical and Material Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 137  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高いCurie温度と大きな磁気異方性エネルギーを有する二次元強磁性材料の探索はまだ困難である。ここでは,第一原理計算によりVI_3単分子層の電子および磁気特性に対する効果的な調整を行った。結果は,VI_3単分子層の最も安定な構造が,特に,Hubbard Uとスピン-軌道結合(SOC)のような計算パラメータに敏感であることを示した。最後に,密度汎関数理論(DFT)+U+SOC(U=3eV)の下で,VI_3単分子層の最も安定な構造は0.51eVの直接バンドギャップを有する強磁性半導体であり,予測Curie温度(T_C)は29Kであった。二軸歪とキャリアドーピングは,VI_3単層FM-AFM-FM遷移を誘起するだけでなく,0.5電子ドーピング下でT_Cを123Kまで効果的に増加させた。一方,キャリアホップは,潜在的強磁性半金属を実現する。幸いことに,構成合金単層では,VTaI_6単分子層はDFT+U(U=3,VとTaの1eV)下で強磁性半金属であり,T_Cは74Kに増加した。さらに,VTaI_6単分子層は大きな面内磁気異方性エネルギー(IMA)を有し,その物理的起源は二次摂動理論に基づいて詳細に説明される。これらの知見から,VI_3単分子層はスピントロニクスと高密度磁気貯蔵デバイスへの応用が有望であることが示唆された。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Curie温度 ,  強磁性 ,  合金 ,  摂動論 ,  タンタル ,  *単分子層 ,  *磁気 ,  二次元 ,  半金属 ,  強磁性半導体 ,  密度汎関数法 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： *第一原理計算 ,  二軸ひずみ ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： VI_3単分子層 ,  密度汎関数理論 ,  電子および磁気特性 ,  Curie温度 ,  磁気異方性エネルギー ,  スピン-軌道結合(SOC) ,  Hubbard U

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単分子層 ,  電子 ,  磁気特性 ,  変調 ,  第一原理計算