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J-GLOBAL ID：202202277855626311   整理番号：22A0912937

高ドープ有機熱電材料のための位置誘起効率的ドーピング【JST・京大機械翻訳】

Position-Induced Efficient Doping for Highly Doped Organic Thermoelectric Materials

著者 (7件)： Min Jiwoo (Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Kim Daegun (Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Han Se Gyo (Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Park Chaneui (Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Lim Hyungsub (Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Sung Woong (Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Cho Kilwon (Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 8  号： 3  ページ： e2101142  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気的ドーピングは高性能有機熱電(TE)材料に本質的に必要とされる。しかし,ドーピング効率η_dは,高ドープ有機半導体(OSC)で広く調べられていない。ここでは,高ドープOSCにおける特定の位置におけるドーパント分子の分布がη_dに影響し,Seebeck係数Sと電気伝導率σに決定的に関連していることを示した。ポリ(2,5-ビス(3-ヘキサデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2-b]チオフェン(PBTT)膜を,溶液逐次(SSq)ドーピングまたは蒸気ドーピングのいずれかによって2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)でpドープした。SSqドーピングはPBTTT膜の非晶質ドメインのみにF4TCNQを堆積し,一方,蒸気ドーピングは非晶質および結晶ドメインの両方に堆積した。結晶ドメイン中のF4TCNQ分子は,高いη_dを示し,σ:S2σ|σ≒0.76の増加と共に,力率の急速な増加につながった。これらの結果は,高ドープOSCの効率的なドーピングのための指針を提供し,高性能有機TE材料を得るためのドーピング効率の重要性を強調する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  有機半導体 ,  力率 ,  非晶質 ,  *ドーピング ,  輸送係数 ,  ドーパント ,  *熱電材料
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  ドメイン構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 導電性高分子 ,  非局在化長さ ,  ドーピング ,  有機熱電

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  有機熱電材料 ,  誘起 ,  ドーピング