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J-GLOBAL ID：202202277935884257   整理番号：22A1083291

400°Cで処理されたYSZゲート誘電体を組み込んだ溶液処理薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Solution-processed thin film transistors incorporating YSZ gate dielectrics processed at 400 °C

著者 (8件)： Antoniou Giorgos (Department of Engineering, Lancaster University, Lancaster LA1 4YR, United Kingdom) ,  Halcovitch Nathan R. (Department of Chemistry, Lancaster University, Lancaster LA1 4YB, United Kingdom) ,  Mucientes Marta (Department of Physics, University of Lancaster, Lancaster LA1 4YW, United Kingdom) ,  Milne William I. (Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom) ,  Nathan Arokia (Cambridge Touch Technologies, 154 Cambridge Science Park Milton Road, Cambridge CB4 0GN, United Kingdom) ,  MacManus-Driscoll Judith L. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, United Kingdom) ,  Kolosov Oleg V. (Department of Physics, University of Lancaster, Lancaster LA1 4YW, United Kingdom) ,  Adamopoulos George (Department of Engineering, Lancaster University, Lancaster LA1 4YR, United Kingdom)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 10  号： 3  ページ： 031109-031109-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,空気中で400°Cでイットリアナノ粒子を添加したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜堆積のための溶液プロセスを調べた。YSZ中の異なるイットリウムドーピングレベルを調べ,広い範囲の光学的,構造的,表面,誘電,および電子輸送特性を調べた。5%molの最適イットリウムドーピングレベルは,最も滑らかな膜(R_RMS~0.5nm),広いバンドギャップ(~5.96eV),26を超える誘電率,および2MV/cmでの~0.3nAcm-2の漏れ電流をもたらした。溶液処理YSZ膜を,溶液処理In_2O_3半導体チャネルを有する薄膜トランジスタのゲート誘電体として組み入れた。無視できるヒステリシス,低い動作電圧(5V),36cm2V-1s-1を超える電子移動度,107のオーダーのオン/オフ電流変調比,および低い界面トラップ密度状態(<1012cm-2)のような優れた操作特性を実証した。さらに,優れた膜均一性は,膜厚さと<1.2%の静電容量偏差の両方を有する大面積(16×16cm2)にわたって達成された。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  半導体 ,  誘電率 ,  *溶液 ,  *処理 ,  イットリウム ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化イットリウム ,  ドーピング ,  静電容量 ,  漏れ電流 ,  バンドギャップ ,  ナノ粒子 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： YSZ【セラミック】 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： YSZ ,  ゲート誘電体 ,  溶液処理 ,  薄膜トランジスタ