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J-GLOBAL ID:202202277960366251   整理番号:22A0704226

熱プロセスと表面関連劣化に対するその影響【JST・京大機械翻訳】

Thermal Processes and their Impact on Surface-Related Degradation
著者 (3件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: e2100464  発行年: 2022年 
JST資料番号: W1880A  ISSN: 1862-6254  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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表面関連劣化(SRD)は,シリコンウエハの表面近傍領域の再結合がキャリア注入の有無で高温下で増加する現象である。太陽電池処理および運転の重要性のため,80~200°Cの温度での光浸漬下で起こるSRDは最近大きな関心を集めている。本研究では,SRDの生成に影響する2つの燃焼後プロセスを調べた。第一は不動態化誘電体層の置換であり,第二は300と400°Cの間の熱アニーリングの使用である。後焼成エッチングと誘電体層の再堆積は,その後の劣化に最小の影響を与える。対照的に,400°C,30分間の熱アニールは,SRDの程度を6倍減少させることができる。これらの結果は,シリコンと誘電体自体の間の界面がSRDの生成における重要因子ではないことを意味する。最もありそうな説明は,熱処理がSRDの生成に影響するシリコン基板の変化を引き起こすことである。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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