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J-GLOBAL ID:202202277997982436   整理番号:22A1195955

MXn半導体層状材料の層間熱電性質予測【JST・京大機械翻訳】

Prediction of Interlayer Thermoelectric Properties of MXn Semiconductor Layered Materials
著者 (6件):
資料名:
巻: 36  号:ページ: 72-83  発行年: 2022年 
JST資料番号: C3663A  ISSN: 1673-9833  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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高品質の熱電材料には「フォノンガラス、電子結晶」の特性があるので、第一性原理計算に基づき、二元MXn半導体層状材料に上述の特性材料を選別する方法を提案した。層間がvanderWaals力であるため、層状材料中の面外方向の格子熱伝導率は非常に低く、良好な「フォノンガラス」材料である。面外方向の電子輸送能力はM元素と原子距離と相関した。Mを主族元素とする時(例えばSnSe)は、非局所のpz軌道と小さい原子層間距離(4?より小さい)により、電子が良好な層間輸送性能を持つ。Mが遷移金属元素である場合(例えばMoS2)、局所のd軌道と大きいカチオン層間隔(6?)より大きいと、電子が層間に転送できない。カチオンMの層間距離の大きさとタイプ(主族元素か遷移金属)により、層状材料の面外方向の熱電性質を判断することができ、有望な高ZT熱電材料の選別に理論的指導を提供した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
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物理学一般 
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