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J-GLOBAL ID：202202278242257754   整理番号：22A0838668

GaN素子の励起子と光学スペクトルに対する量子結合とホットキャリアの影響【JST・京大機械翻訳】

Quantum coupling and hot-carriers impacts on excitons and optical spectrum of GaN devices

著者 (1件)： Mao Ling-Feng (School of Computer and Communication Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 139  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光学遷移の同調性とGaNデバイスの物理機構を明らかにしなかった。GaN素子の光学遷移がソース-ドレイン電圧とデバイス温度に依存する方法を記述する解析的および物理的モデルを,三次元Schroedinger方程式とホットキャリア効果に基づいて提案した。提案した解析的および物理的モデルにより予測された光学遷移におけるピーク位置のシフトを,結合SchroedingerおよびPoisson方程式に対する数値解および実験で観測したシフトと比較することにより,量子結合およびホットキャリアがそのようなシフトにおいて鍵となる役割を得られることを見出した。量子結合とホットキャリアは,GaNデバイスのそのようなシフトの物理的起源である。解析的および物理的モデルは,印加電圧およびデバイス温度がGaNデバイスの励起子および光学スペクトルにどのように影響するかに関する解析的および簡単な洞察を与えた。したがって,GaNに基づく発光素子と光検出器の物理的パラメータを最適化するのに有益である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schroedinger方程式 ,  最適化 ,  数値解法 ,  電子遷移 ,  光検出器 ,  *励起子 ,  Poisson方程式 ,  *窒化ガリウム ,  *ホットキャリア ,  三次元 ,  パラメータ ,  ソース【半導体】
準シソーラス用語： 光学遷移 ,  印加電圧 ,  発光素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 量子結合 ,  ホットキャリア ,  光スペクトル ,  励起子 ,  光学的遷移 ,  高電子移動度トランジスタ

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  励起子 ,  光学スペクトル ,  量子 ,  ホットキャリア