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J-GLOBAL ID：202202278308432840   整理番号：22A0952683

先端放射線耐性を有する可視近赤外フォトダイオード【JST・京大機械翻訳】

Visible to Near-Infrared Photodiodes with Advanced Radiation Resistance

著者 (5件)： Brus Viktor V. (Department of Physics, Nazarbayev University, Nur-Sultan City, 010000, Kazakhstan) ,  Solovan Mykhailo M. (Department of Electronics and Energy Engineering, Chernivtsi National University, Chernivtsi, 58000, Ukraine) ,  Schopp Nora (Center for Polymers and Organic Solids, University of California Santa Barbara (UCSB), Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Kaikanov Marat (Department of Physics, Nazarbayev University, Nur-Sultan City, 010000, Kazakhstan) ,  Mostovyi Andriy I. (Department of Electronics and Energy Engineering, Chernivtsi National University, Chernivtsi, 58000, Ukraine)
資料名： Advanced Theory and Simulations  (Advanced Theory and Simulations)
巻： 5  号： 3  ページ： e2100436  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2665A  ISSN： 2513-0390  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 放射線耐性機能性材料:サファイア,窒化チタン,MoO_x,CdTe,Hg_3In_2Te_6,およびグラファイトのユニークな組み合わせに基づく近赤外(400~1600nm)フォトダイオードに可視する新しいタイプのサブミクロン金属-固有半導体-金属を提案した。有望な光電子特性を,解析的Hechtと暗発生電流方程式による数値転送行列光学シミュレーションの相補的融合に基づいて,包括的半解析モデルの範囲で計算した。この知見は,先進放射線抵抗を有する概念実証次世代高性能光電子デバイスを実証した。さらに,簡単なデバイス工学修正は,考察したフォトダイオードに対する顕著な最適化可能性を明らかにした。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  電流 ,  *フォトダイオード ,  *放射線 ,  固体素子 ,  グラファイト ,  *近赤外線 ,  真性半導体 ,  サファイア ,  *耐放射線性 ,  テルル化カドミウム ,  転送行列 ,  解析モデル ,  光電子
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CdTe ,  MIT ,  オプトエレクトロニクス ,  フォトダイオード ,  放射線抵抗

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 放射線耐性 ,  近赤外 ,  フォトダイオード