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J-GLOBAL ID：202202278376434578   整理番号：22A0976623

酸素プラズマドーピングにより作製した高性能MoS_2相補型インバータ【JST・京大機械翻訳】

High-Performance MoS₂ Complementary Inverter Prepared by Oxygen Plasma Doping

著者 (13件)： Wang Shibo (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Zeng Xiangbin (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Zhou Yufei (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Lu Jingjing (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Hu Yishuo (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Wang Wenzhao (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Wang Junhao (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Xiao Yonghong (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Wang Xiya (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Chen Duo (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Xu Tingwei (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Zhang Maofa (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China) ,  Bao Xiaoqing (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, People’s Republic of China)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 4  号： 3  ページ： 955-963  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元遷移金属カルコゲン化物は,その原子レベル厚さと優れた半導体特性のため,Moore則を超える小型化のための最も有望な材料の1つになった。インバータは,最も基本的な論理ゲート回路である。二重温度ゾーン化学蒸着と酸素プラズマドーピング技術を用いて,n型とp型MoS_2材料を得て,MoS_2 CMOSインバータを設計し,優れた電気的性能を示した。V_dd=5Vの条件の下で,インバータのピーク電圧利得は7.48であり,最大静的電力消費は37.7nWであり,雑音マージンは0.45V_ddであり,雑音マージンは0.32V_ddであり,インバータはより良いV_in-V_out信号整合を示した。室温での空気環境における42日間の継続時間の後,インバータのV_outは,高レベルの出力電圧の場合に,3.75%だけ減少し,そして,出力電圧の低レベルは,基本的に不変であった。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  遷移金属 ,  電圧 ,  半導体 ,  電力消費 ,  論理回路 ,  小型化 ,  *ドーピング ,  硫化モリブデン ,  利得 ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  *インバータ ,  CMOS
準シソーラス用語： 論理ゲート ,  電圧利得 ,  *酸素プラズマ ,  出力電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 硫化モリブデン ,  酸素プラズマ ,  ドーピング ,  PN接合 ,  インバータ ,  p-MoS_2

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素 ,  プラズマドーピング ,  作製 ,  高性能 ,  相補型インバータ