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J-GLOBAL ID：202202278423246664   整理番号：22A0492485

グラフェンベースシナプス電界効果トランジスタのシミュレーションに対する界面トラップ電荷モデル【JST・京大機械翻訳】

An interface trap charge model for simulation of graphene-based synaptic field effect transistors

著者 (2件)： Oshio Reon (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, Japan) ,  Souma Satofumi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 2  ページ： 024301-024301-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チャネルゲート界面トラップによる伝導特性のヒステリシスがシナプス可塑性として用いられる,グラフェンベースのシナプス電界効果トランジスタ(FET)の効率的な設計のための静電容量モデルに基づくコンパクトな計算法を提案した。グラフェンとアームチェアグラフェンナノリボン(AGNR)超格子FETの伝導特性を計算するために,AGNRはグラフェンの約7.4倍である効率的なコンダクタンス変化率Δwを達成できることを示した。また,ゲート酸化物厚さが約2~3nmの時にΔwが最大であり,これは小型化の限界に近いことが分かった。これらの結果は,提案したシナプスFETが生物学的時間スケール計算のための大規模統合チップを実現するための有望なアプローチであることを示唆する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超格子 ,  *電荷 ,  ヒステリシス ,  *FET【トランジスタ】 ,  *シナプス ,  小型化 ,  静電容量 ,  コンダクタンス ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,  *界面トラップ ,  シナプス可塑性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  格子振動の熱的・統計的性質  (BL03050G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電界効果トランジスタ ,  シミュレーション ,  界面トラップ ,  電荷 ,  モデル